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MOSキャパシタ
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自己修復誘電体MOSキャパシタ 330 pF 50V 単層チップ 高信頼性RFシステム用

自己修復誘電体MOSキャパシタ 330 pF 50V 単層チップ 高信頼性RFシステム用

ブランド名: Hoan
モデル番号: HACC331S50V150
MOQ: 10個
支払い条件: T/T、L/C、D/A、D/P
詳細情報
起源の場所:
陝西省、中国
証明:
ISO 9001:2015, RoHS
キャパシタンス:
330 pF ±10% (±5% 使用可能)
定格DC電圧:
50V
チップ寸法:
0.50×0.50×0.15mm
動作温度:
-55℃~+125℃
取付タイプ:
ワイヤーボンディング可能/共晶ダイアタッチ可能
湿度感度レベル:
MSL1
RoHS:
準拠 (EU 2015/863)
ハイライト:

自己修復MOSキャパシタ 330pF 50V

,

単層チップMOSキャパシタ

,

高信頼性RF MOSキャパシタ

製品の説明

自治型ダイレクトリック単層MOSコンデンサータ 330 pF / 50 V (HACC331S50V150)


自治型 介電型 MOS コンデンサ 器 は 何 です か


HACC331S50V150は単層MOS (金属酸化物半導体) コンデンサターで,浮気ゾーンシリコン基板に熱栽培された二酸化シリコン (SiO2) 介電体を使用する.自治する電解体 デザイン は 局所 的 な 破損 場所 を 隔離 し て おり,一時 的 な 過電圧 が 永久 的 な ショート サーキット に 変化 する こと は でき ませ んワイヤレス結合可能な RF コンデンサです330 pF ±10% 50 V DC でA で0.50 × 0.50 × 0.15 mmシングルレイヤセラミックコンデンサター (SLC) またはワイヤーボンダブルコンデンサターとしても知られています


主要な仕様 (典型的には25°C)


定数容量 330 pF ±10% (±5%利用可能)
定数直流電圧 50V
耐電電圧 >125V DC (250%名乗)
自治機能 局所的な破損部位隔離
ダイレクトリック 熱性シオ2,300nm
基板 浮きゾーンシリコン, > 1000 Ω·cm
固有のESL <0.05 nH
自動共鳴周波数 >4 GHz (0.5mmのボンドワイヤ)
Q因数 @ 1 MHz >2000年
TCCについて +35 ppm/°C
動作温度 -55 °Cから+125 °C
チップの寸法 0.50 × 0.50 × 0.15 mm
金属化 上部TiW-Au (2,5 μmmin),裏部TiW-Pt-Au (1,0 μmmin)
湿度感度レベル MSL 1
RoHS 適合している (EU 2015/863)


MOSコンデンサター vs MLCC vs 標準SLC


パラメータ このMOSコンデンサは MLCC (0402)
建設 単層,垂直の電流経路 多層スタック
固有のESL <0.05 nH 300〜500pH
容量対DCバイアス 定位電圧まで安定 定位電圧で降る (II級)
障害行動 自治性ダイレクトリック設計 永久的な障害
マウント ワイヤ・ボンド/ユーテキス・ダイ・アタッチ SMD溶接器


典型的な用途


  • 高信頼性のRF電源増幅器のマッチングとDCブロック
  • 繰り返される電圧トランジエントにさらされたハイブリッドマイクロ回路
  • 工業用RF発電機と電源
  • 医療用RF機器
  • テレコムとインフラストラクチャのラジオフロントエンド


自己修復誘電体MOSキャパシタ 330 pF 50V 単層チップ 高信頼性RFシステム用