HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC331S50V150 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
O HACC331S50V150 é um condensador MOS (metal-óxido-semicondutor) de camada única que utiliza um dieléctrico de dióxido de silício (SiO2) cultivado termicamente em um substrato de silício de zona flutuante.Seu projeto dieléctrico de auto-reparação isola um local de quebra localizado para que uma sobrevoltagem transitória não se torne um curto-circuito permanenteÉ um condensador de RF ligado a fio330 pF ± 10% a 50 V DCem um00,50 × 0,50 × 0,15 mmchip, e também é conhecido como um condensador cerâmico de camada única (SLC) ou condensador ligável a fio.
| Capacidade nominal | 330 pF ±10% (±5% disponíveis) |
| Tensão nominal de CC | 50 V |
| Voltagem de resistência dielétrica | > 125 V CC (250% nominal) |
| Característica de auto-cura | Isolamento localizado do local da avaria |
| Dieléctricos | SiO2 térmico, 300 nm |
| Substrato | Silício de zona flutuante, > 1000 Ω·cm |
| ESL intrínseco | < 0,05 nH |
| Frequência auto-resonante | > 4 GHz (com fio de ligação de 0,5 mm) |
| Fator Q @ 1 MHz | > 2000 |
| TCC | +35 ppm/°C |
| Temperatura de funcionamento | -55 °C a +125 °C |
| Dimensões do chip | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm |
| Metalização | TiW-Au superior (2,5 μm min), TiW-Pt-Au posterior (1,0 μm min) |
| Nível de sensibilidade à umidade | MSL 1 |
| RoHS | Conformidade (UE 2015/863) |
| Parâmetro | Este condensador MOS | MLCC (0402) |
| Construção | Camada única, caminho de corrente vertical | Empilhadeira de várias camadas |
| ESL intrínseco | < 0,05 nH | 300-500 pH |
| Capacidade versus viés de CC | Estabilidade até à tensão nominal | Pode cair na tensão nominal (Classe II) |
| Comportamento de falha | Projeto dieléctrico autocurável | Falha permanente |
| Instalação | Fios de ligação / acoplamento eutético | Soldagem SMD |
