Condensador MOS de contacto óhmico sin oxígeno 470pF 100V Chip de capa única de baja ESR para descarga de recolección de energía

MOS Capacitor HACC471S100V701 — 470 pF 100 V con Contacto Óhmico Libre de Oxígeno y Energía de Baja ESR Descarga

El HACC471S100V701 es un capacitor MOS de capa única de 470 pF ±10% con una clasificación de 100 V CC, fabricado sobre un sustrato de silicio conductor con un contacto posterior óhmico de oro puro libre de oxígeno. Al eliminar el óxido interfacial en la unión metal-a-silicio posterior, el dispositivo logra baja resistencia interfacial y en serie, lo que mejora directamente la eficiencia de descarga en aplicaciones de almacenamiento de recolección de energía y potencia pulsada. Un capacitor MOS es un capacitor de capa única formado por una estructura metal-óxido-semiconductor (dióxido de silicio térmico sobre un sustrato de silicio conductor), que almacena energía como ½CV². La baja ESR y el alto Q aseguran que la carga almacenada se entregue a la carga con una pérdida mínima.

Contactos Óhmicos Libres de Oxígeno para Baja Resistencia Interfacial

• Proceso libre de oxígeno: el contacto óhmico posterior se forma sobre silicio de baja resistividad sin exposición al oxígeno, evitando una capa de óxido interfacial de alta resistencia entre el metal y el sustrato;
• Baja resistencia interfacial: el contacto óhmico de Au puro minimiza la resistencia de contacto, manteniendo la ESR total por debajo de 0.1 Ω a 1 GHz y la resistencia en serie baja para corrientes de descarga;
• Sustrato de silicio conductor: la resistividad del sustrato es seleccionable por aplicación (opción personalizada), desde alta resistividad para desacoplamiento de polarización de RF hasta baja resistividad para entrega de carga de baja pérdida;
• Montaje flexible: el posterior de Au soporta el acoplamiento eutéctico AuSn, soldadura SAC y epoxi conductor; hay disponible un acabado solo de Au para epoxi con relleno de plata.

Características Eléctricas (típicas, 25°C a menos que se indique lo contrario)

Aplicaciones Típicas

Almacenamiento de recolección de energía y descarga pulsada en sistemas piezoeléctricos, fotovoltaicos y termoeléctricos; redes de supresión y limitación de convertidores de potencia; desacoplamiento de puerta en módulos GaN y SiC; redes de polarización de amplificadores de potencia de RF; nodos de sensores inalámbricos y módulos IoT autoalimentados que requieren entrega de carga de alta eficiencia y baja fuga.