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Sauerstofffreier ohmscher Kontakt MOS-Kondensator 470pF 100V Low-ESR-Chip mit Einzelschicht für Energy Harvesting Entladung

Name: Sauerstofffreier ohmscher Kontakt MOS-Kondensator 470pF 100V Low-ESR-Chip mit Einzelschicht für Energy Harvesting Entladung
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S100V701
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC471S100V701
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Esd-Toleranz:

>2 kV HBM, Klasse 2 (JESD22-A114)

Funktionieren/Lagertemperatur:

-55°C bis +200°C / -65°C bis +150°C

Chipabmessungen:

0,65 × 0,65 × 0,20 mm (±25 µm); Benutzerdefinierte Geometrie mit einem Seitenverhältnis von bis zu 4

Metallisierung:

TiW-Au-Oberseite (≥2,5 µm Au) / sauerstofffreie ohmsche Rückseite aus reinem Au (AuSn / Lot / Silber

Montageart:

Drahtbondbar / AuSn-Eutektikum / Lötmittel / leitfähiges Epoxidharz

Testen:

100 % produktionsgeprüft (C, DF, Leckage, DWV); KGD-Waferkarte pro Los

Hervorheben:

sauerstofffreier MOS-Kondensator 470pF

Low-ESR-MOS-Kondensator 100V

Einzelschicht-Chipkondensator Energy Harvesting

Produkt-Beschreibung

HACC471S100V701 MOS-Kondensator mit 470 pF 100 V mit sauerstofffreiem Ohmkontakt und niedriger ESR-Energieentladung

Der HACC471S100V701 ist ein 470 pF ±10% einlagiger MOS-Kondensator mit einer Leistung von 100 V Gleichstrom, hergestellt auf einem leitfähigen Silizium-Substrat mit einem sauerstofffreien reinen-gold-ohmischen Rückkontakt.Durch die Beseitigung von Oberflächenoxid an der Rückseite der Verbindung von Metall und Silizium, erreicht das Gerät einen geringen Schnittstellen- und Serienwiderstand, der die Ausladeseffizienz bei der Energiespeicherung und bei Anwendungen mit pulsierter Leistung direkt verbessert.Ein MOS-Kondensator ist ein einlagiger Kondensator, der aus einer Metalloxid-Halbleiterstruktur (thermisches Siliziumdioxid auf einem leitfähigen Siliziumsubstrat) bestehtEine niedrige ESR und ein hohes Q sorgen dafür, dass die gespeicherte Ladung mit minimalem Verlust an die Last geliefert wird.

Sauerstofffreie Ohmkontakte für einen geringen Schnittstellenwiderstand

Sauerstofffreies Verfahren:Der Rückseitehmiskontakt wird auf Silizium mit geringer Widerstandsfähigkeit ohne Sauerstoffbelastung gebildet, wodurch eine hochwiderstandsfähige Oberflächen-Oxid-Schicht zwischen Metall und Substrat vermieden wird.
Niedriger Schnittstellenwiderstand:Der reine Au-Ohm-Kontakt minimiert den Kontaktwiderstand, wobei der gesamte ESR bei 1 GHz unter 0,1 Ω und der Serienwiderstand bei Entladeströmen niedrig bleibt.
mit einer Breite von mehr als 10 mm,Der Widerstand des Substrats kann je Anwendung (eingebundene Option) ausgewählt werden, von hoher Widerstandsfähigkeit für die Frequenzverzerrungsentkopplung bis zu niedriger Widerstandsfähigkeit für die Lieferung von Ladungen mit geringem Verlust.
Flexibler Aufbau:Die Au-Rückseite unterstützt AuSn-Eutektische, SAC-Lötung und leitfähige Epoxidbefestigung; für silbergefülltes Epoxid ist eine Au-Ausführung verfügbar.

Elektrische Eigenschaften (typisch, 25°C, sofern nicht angegeben)

Nennkapazität	470 pF ±10% (1 kHz, 1,0 Vrms); engere Toleranzen und entsprechende Sets sind verfügbar
Nennspannung	100 V Gleichstrom
Dielektrische Spannung	250 V Gleichspannung (250% Nennwert, 5 s, 100% geprüft)
Temperaturkoeffizient (TCC)	+35 ppm/°C über -55°C bis +200°C
Verlustfaktor	≤ 0,15% bei 1 kHz, 1,0 Vrms
Q-Faktor	> 2000 bei 1 MHz
ESR	< 0,1 Ω @ 1 GHz (Design mit niedrigem Schnittstellenwiderstand)
Eingeborene Chip-ESL	< 0,05 nH (ausgeschaltet)
SRF auf Chip-Ebene	> 1 GHz (470 pF)
Leckstrom	< 10 nA bei 25°C; < 500 nA bei 200°C (bei Nennspannung)
Widerstand gegen Isolierung	≥ 10⁴MΩ bei Nennspannung, 25°C
ESD-Toleranz	> 2 kV HBM, Klasse 2 pro JESD22-A114
Betriebstemperatur / Lagertemperatur	-55°C bis +200°C / -65°C bis +150°C
Standardabmessung	0.65 × 0,65 × 0,20 mm (± 25 μm); benutzerdefinierte Geometrie, Seitenverhältnis bis zu 4:1
Metallisierung	TiW-Au-Oberteil (≥ 2,5 μm Au, drahtverbindlich); sauerstofffreier reiner Au-Ohm-Rückseite

Typische Anwendungen

Energiespeicherung und pulsierte Entladung in Piezo-, Photovoltaik- und thermoelektrischen Systemen; Schneck- und Klemmnetze von Leistungsumwandlern; Trennung von Torantrieb in GaN- und SiC-Modulen;HF-Leistungsverstärker-Biasnetze; drahtlose Sensorknoten und selbstbetriebene IoT-Module mit geringer Leckage und hoher Effizienz.

Sauerstofffreier ohmscher Kontakt MOS-Kondensator 470pF 100V Low-ESR-Chip mit Einzelschicht für Energy Harvesting Entladung

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren