Condensatore MOS a contatto ohmico privo di ossigeno 470pF 100V a basso ESR a strato singolo per scarica di raccolta di energia

Condensatore MOS HACC471S100V701 — 470 pF 100 V con contatto ohmico privo di ossigeno e scarica di energia a basso ESR

L'HACC471S100V701 è un condensatore MOS monostrato da 470 pF ±10% con una tensione nominale di 100 V DC, fabbricato su un substrato di silicio conduttivo con un contatto ohmico posteriore in oro puro privo di ossigeno. Eliminando l'ossido interfaciale alla giunzione metallo-silicio sul retro, il dispositivo raggiunge una bassa resistenza interfaciale e serie, che migliora direttamente l'efficienza di scarica nelle applicazioni di accumulo di energia e di potenza pulsata. Un condensatore MOS è un condensatore monostrato formato da una struttura metallo-ossido-semiconduttore (diossido di silicio termico su un substrato di silicio conduttivo), che immagazzina energia come ½CV². L'ESR basso e l'alto Q assicurano che la carica immagazzinata venga erogata al carico con perdite minime.

Contatti ohmici privi di ossigeno per bassa resistenza interfaciale

• Processo privo di ossigeno: il contatto ohmico posteriore è formato su silicio a bassa resistività senza esposizione all'ossigeno, evitando uno strato di ossido interfaciale ad alta resistenza tra metallo e substrato;
• Bassa resistenza interfaciale: il contatto ohmico in oro puro minimizza la resistenza di contatto, mantenendo l'ESR totale al di sotto di 0,1 Ω a 1 GHz e la resistenza serie bassa per le correnti di scarica;
• Substrato di silicio conduttivo: la resistività del substrato è selezionabile per applicazione (opzione personalizzata), da alta resistività per il disaccoppiamento di bias RF a bassa resistività per l'erogazione di carica a bassa perdita;
• Assemblaggio flessibile: il retro in oro supporta l'attacco eutettico AuSn, la saldatura SAC e l'epossidica conduttiva; è disponibile una finitura solo in oro per epossidica riempita d'argento.

Caratteristiche elettriche (tipiche, 25°C se non diversamente specificato)

Applicazioni tipiche

Accumulo di energia e scarica pulsata in sistemi piezoelettrici, fotovoltaici e termoelettrici; reti di snubber e clamp di convertitori di potenza; disaccoppiamento gate-drive in moduli GaN e SiC; reti di bias di amplificatori di potenza RF; nodi sensore wireless e moduli IoT autoalimentati che richiedono erogazione di carica ad alta efficienza e bassa dispersione.