HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC471S100V701 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | LC, D/A, D/P, T/T |
Le HACC471S100V701 est un condensateur MOS monocouche de 470 pF ±10% nominal à 100 V CC, fabriqué sur un substrat de silicium conducteur avec un contact ohmique arrière en or pur sans oxygène. En éliminant l'oxyde interfaciale à la jonction métal-silicium arrière, le dispositif obtient une faible résistance interfaciale et série, ce qui améliore directement l'efficacité de décharge dans les applications de stockage d'énergie récoltée et de puissance pulsée. Un condensateur MOS est un condensateur monocouche formé par une structure métal-oxyde-semiconducteur (dioxyde de silicium thermique sur un substrat de silicium conducteur), stockant l'énergie sous forme de ½CV². Un faible ESR et un facteur Q élevé garantissent que la charge stockée est délivrée à la charge avec une perte minimale.
| Capacité nominale | 470 pF ±10% (1 kHz, 1,0 Vrms) ; tolérances plus serrées et ensembles appariés disponibles |
| Tension nominale | 100 V CC |
| Tension de tenue diélectrique | 250 V CC (250 % nominal, 5 s, 100 % testé) |
| Coefficient de température (TCC) | +35 ppm/°C sur -55°C à +200°C |
| Facteur de dissipation | ≤0,15 % à 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Facteur Q | >2000 à 1 MHz |
| ESR | <0,1 Ω @ 1 GHz (conception à faible résistance interfaciale) |
| ESL intrinsèque de la puce | <0,05 nH (désengagé) |
| SRF au niveau de la puce | >1 GHz (470 pF) |
| Courant de fuite | <10 nA à 25°C ; <500 nA à 200°C (à tension nominale) |
| Résistance d'isolement | ≥104 MΩ à tension nominale, 25°C |
| Tolérance ESD | >2 kV HBM, Classe 2 selon JESD22-A114 |
| Température de fonctionnement / stockage | -55°C à +200°C / -65°C à +150°C |
| Taille de puce standard | 0,65 × 0,65 × 0,20 mm (±25 µm) ; géométrie personnalisée, rapport d'aspect jusqu'à 4:1 |
| Métallisation | TiW-Au supérieur (≥2,5 µm Au, soudable par fil) ; contact ohmique arrière en or pur sans oxygène |
Stockage d'énergie récoltée et décharge pulsée dans les systèmes piézoélectriques, photovoltaïques et thermoélectriques ; réseaux de snubber et de clamp de convertisseurs de puissance ; découplage de grille dans les modules GaN et SiC ; réseaux de polarisation d'amplificateurs de puissance RF ; nœuds de capteurs sans fil et modules IoT auto-alimentés nécessitant une livraison de charge à faible fuite et à haute efficacité.
