Ultra Baja Distorción Armónica Total MOS Capacitores Dispersión Dielectrica Cero 100 pF 50V Chip de una sola capa para analógico

HACC101S50V601 100pF 50V MOS condensador con altísima baja total de distorsión armónica cero dieléctrica dispersión paraeléctrica SiO2 chip de una sola capa

El HACC101S50V601 es un condensador MOS de una sola capa de 100pF ± 10% a 50V DC, fabricado en silicio de zona flotante (> 1000 Ω · cm) con un SiO térmico paraeléctrico amorfo₂Las dimensiones de los chips estándar son de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm (± 25 μm).₂es paraeléctrico (sin dominios ferroeléctricos), el dispositivo presenta una característica de capacitancia versus voltaje ultralineal y una permittividad independiente de la frecuencia,que lo hace adecuado para circuitos analógicos de precisión y de señal mixta donde no se pueden tolerar las distorsiones y cambios de valor inducidos por el condensador.

Distorsión armónica total ultrabaja para las vías de señal analógica

Cualquier capacidad dependiente del voltaje modula la señal que pasa a través de ella y genera distorsión armónica.Las clases X5R) cambian el valor en un 30-80% bajo sesgo de CC y, por lo tanto, distorsionan las señales analógicas de manera medibleEl SiO paraeléctrico₂El dieléctrico del HACC101S50V601 no tiene dominios ferroeléctricos y mantiene la capacitancia prácticamente constante frente al voltaje de sesgo:

• Característica del CV ultralineal:El cambio de capacidad de 0V a la potencia nominal completa de 50V es inferior al 0,05% (coeficiente de voltaje <10 ppm/V), por lo que el dispositivo no agrega ninguna no linealidad C ((V) medible a la trayectoria de la señal.
• Bajo factor de disipación:≤ 0,15% a 1 kHz (1,0 Vrms) y tanδ < 0,001 a 1 GHz, manteniendo las pérdidas de resistencia muy por debajo del nivel que afectaría a la distorsión o al ruido en los circuitos de precisión.
• Baja absorción dieléctrica:El dieléctrico almacena una memoria de carga insignificante, por lo que los circuitos de muestreo y retención, integradores y filtros de precisión se recuperan a cero verdadero sin residuos de error de voltaje.
• No hay deriva de envejecimiento:El dieléctrico paraeléctrico no tiene relajación de dominio ferroeléctrico, por lo que la capacitancia no se descompone con el tiempo y no requiere compensación de envejecimiento en la instrumentación de larga vida.

Características eléctricas y fiabilidad

• Capacidad: 100 pF ± 10% (± 5% disponible para pedidos personalizados)
• Coeficiente de temperatura (TCC): +35 ppm/°C entre -55°C y +125°C
• Factor Q: > 2000 a 1 MHz, > 300 a 1 GHz
• ESR a 1 GHz: <0,08Ω; chip intrínseco ESL: <0,05nH (desincorporado)
• SRF: > 10 GHz a nivel de chip (desincorporado); > 1,5 GHz con cable de unión Au de 0,5 mm
• Corriente de fuga: < 10nA a 25°C a 50V de corriente continua; resistencia de aislamiento ≥ 104 MΩ a 25°C de voltaje nominal
• La fuerza de tracción de los enlaces de alambre: > 6 gf para alambre Au de 25 μm (Método MIL-STD-883 2011.7).
• Sensitividad a la humedad: MSL 1 (vida del suelo ilimitada por J-STD-020)
• Clasificación ESD: Clase 0 (HBM) por JESD22-A114
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +125°C; almacenamiento: -65°C a +150°C
• Pruebas: 100% de pruebas de muesca por lote de obleas (capacidad, DF, fugas, DWV), mapa de obleas KGD disponible

Aplicaciones típicas

Circuitos analógicos de precisión y de señal mixta: vías de señal de audio de gama alta, desacoplamiento de referencia ADC/DAC y filtrado antialias, filtros y ecualizadores activos, circuitos de muestreo y retención,instrumentos de precisión, sistemas de servo y medición, y terminales analógicos de banda ancha que abarcan el audio a través de frecuencias de microondas.