Ultra Düşük Toplam Harmonik Distorsiyon MOS Kondansatörleri Sıfır Dielektrik Dağınıklık 100 pF 50V Tek Katmanlı Analog Çip

HACC101S50V601 100pF 50V MOS Kondensatör Ultra Düşük Toplam Harmonik Distorsiyon Sıfır Dielektrik Dağınıklık Paraelektrik SiO2 Tek Katmanlı Çip

HACC101S50V601, 50V DC'de 100pF ± 10% tek katmanlı MOS kondansatörüdür, amorf paraelektrik termal SiO ile yüzen bölge silikon (> 1000 Ω · cm) üzerinde üretilmiştir.₂Dielektrik ve TiW-Au / TiW-Pt-Au metalleşmesi. Standart yonga boyutları 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm (± 25μm) dir.₂paraelektriktir (ferroelektrik alan yoktur), cihaz ultra-lineer kapasitans-voltaj özelliğine ve frekans-bağımsız permittiviteye sahiptir,kapasitörden kaynaklanan bozulma ve değer değişikliğinin tolere edilemeyeceği hassas analog ve karışık sinyal devreleri için uygun hale getirir.

Analog sinyal yolları için Ultra Düşük Toplam Harmonik Distorsiyon

Herhangi bir voltaj bağımlı kapasitans, içinden geçen sinyali modüle eder ve harmonik bozulma yaratır.X5R sınıfları) DC yanılgısı altında değeri %30 ila %80 oranında değiştirir ve bu nedenle analog sinyalleri ölçülebilir bir şekilde çarpıtır.Paraelektrik SiO.₂HACC101S50V601'in dielektrikleri ferroelektrik alanlara sahip değildir ve kapasitansı yanıltıcı voltaj karşısında neredeyse sabit tutar:

• Ultra doğrusal CV özelliği:Kapasitans değişimi 0V'den tam 50V'ye kadar 0.05%'in altında (teglik katsayısı <10 ppm/V), bu nedenle cihaz sinyal yoluna ölçülebilir C(V) doğrusal olmayanlık eklemez.
• Düşük dağılma faktörü:1kHz (1.0Vrms) ve tanδ <0.001 1GHz'de ≤0,15%'lik, direnç kaybını hassas devrelerde bozulma veya gürültü performansını etkileyecek seviyenin çok altında tutarak.
• Düşük dielektrik emicilik:Dielektrik önemsiz bir yük belleği depolar, bu nedenle örnekleme ve tutma devreleri, entegratörler ve hassas filtreler, voltaj hatası kalıntıları olmadan gerçek sıfıra geri döner.
• Yaşlanma yok:Paraelektrik dielektrik, ferroelektrik alan gevşemesine sahip değildir, bu nedenle kapasitans zamanla bozulmaz ve uzun ömürlü enstrümantasyonlarda yaşlanma telafi edilmesi gerekmez.

Elektriksel Özellikler ve Güvenilirlik

• Kapasitans: 100pF ±10% (özel siparişler için ±5%)
• Sıcaklık katsayısı (TCC): +35 ppm/°C -55°C'den +125°C'ye kadar
• Q faktörü: 1MHz'de >2000, 1GHz'de >300
• 1GHz'de ESR: <0,08Ω; iç çip ESL: <0,05nH (de-embedded)
• SRF: >10GHz çip seviyesinde (de-embedded); >1.5GHz 0.5mm Au bağ teli ile
• Sızıntı akımı: 50V DC'de 25°C'de <10nA; 25°C'de nominal voltajda yalıtım direnci ≥104 MΩ
• Tel bağlanma çekim gücü: 25μm Au tel için >6gf (MIL-STD-883 Yöntem 2011.7)
• Nem duyarlılığı: MSL 1 (J-STD-020 için sınırsız zemin ömrü)
• ESD derecesi: JESD22-A114 başına 0 sınıfı (HBM)
• Çalışma sıcaklığı: -55°C - +125°C; depolama: -65°C - +150°C
• Test: Wafer parti başına %100 ölçekli test (kapasite, DF, sızıntı, DWV), KGD wafer haritası kullanılabilir

Tipik Uygulamalar

Kesinlik analog ve karışık sinyal devreleri: yüksek seviye ses sinyali yolları, ADC/DAC referans koparımı ve sahte isimlere karşı filtreleme, aktif filtreler ve eşitleyiciler, örnekleme ve tutma devreleri,hassas cihazlama, servo ve ölçüm sistemleri ve mikro dalga frekansları üzerinden ses alan geniş bantlı analog ön uçlar.