خازن‌های MOS با اعوجاج هارمونیکی کل فوق‌العاده پایین، پراکندگی دی‌الکتریک صفر، ۱۰۰ پیکوفاراد، ۵۰ ولت، تک لایه تراشه‌ای برای آنالوگ

HACC101S50V601 100pF 50V MOS Capacitor Ultra Low Total Harmonic Distortion Zero Dielectric Dispersion Paraelectric SiO2 تراشه تک لایه ای

HACC101S50V601 یک خازن MOS تک لایه ای 100pF ±10٪ با قدرت 50V DC است که بر روی سیلیکون منطقه شناور (> 1000 Ω · cm) با SiO حرارتی پارالکتریک آمورف ساخته شده است₂دی الکتریک و TiW-Au / TiW-Pt-Au فلز سازی. ابعاد تراشه استاندارد 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm (± 25μm) است.₂پارالکتریک است (بدون دامنه های آهن الکتریکی) ، دستگاه دارای یک ویژگی ظرفیت در مقابل ولتاژ فوق خطی و یک اجازه مستقل از فرکانس است.که آن را برای مدارهای آنالوگ دقیق و سیگنال مخلوط که در آن تحریف و تغییر ارزش ناشی از خازن قابل تحمل نیست، مناسب می کند.

تحریف هارمونیک کل بسیار کم برای مسیرهای سیگنال آنالوگ

هر ظرفیت وابسته به ولتاژ، سیگنال عبور از آن را تنظیم می کند و تحریف هارمونیک ایجاد می کند.کلاس های X5R) تغییر ارزش 30-80٪ تحت تعصب DC و بنابراین سیگنال های آنالوگ را به طور قابل اندازه گیری تحریف می کنند. SiO پارالکتریک₂دی الکتریک HACC101S50V601 هیچ دامنه ای آهن الکتریکی ندارد و ظرفیت را تقریباً در برابر ولتاژ تعویض ثابت نگه می دارد:

• ویژگی CV فوق خطی:تغییر ظرفیت از 0 ولت به 50 ولت کامل کمتر از 0.05٪ (معادل ولتاژ <10 ppm / V) است ، بنابراین دستگاه هیچ غیر خطی C ((V) قابل اندازه گیری را به مسیر سیگنال اضافه نمی کند.
• فاکتور کاهش کم:≤0.15٪ در 1kHz (1.0Vrms) و tanδ <0.001 در 1GHz، کاهش مقاومت را بسیار کمتر از سطحی که بر عملکرد تحریف یا سر و صدا در مدارهای دقیق تأثیر می گذارد، حفظ می کند.
• جذب دی الکتریک پایین:دی الکتریک حافظه شارژ ناچیز را ذخیره می کند، بنابراین مدارهای نمونه گیری و نگه داری، یکپارچه کننده ها و فیلترهای دقیق بدون بقایای خطا ولتاژ به صفر واقعی باز می گردند.
• بدون افزایش سن:دی الکتریک پارالکتریک هیچ آرامش دامنه فیرو الکتریکی ندارد، بنابراین ظرفیت با گذشت زمان کاهش نمی یابد و نیازی به جبران پیری در ابزار طولانی مدت ندارد.

ویژگی های الکتریکی و قابلیت اطمینان

• ظرفیت: 100pF ± 10% (± 5% در صورت سفارش سفارشی در دسترس است)
• ضریب دمای (TCC): +35 ppm/°C در -55°C تا +125°C
• فاکتور Q: >2000 در 1MHz، >300 در 1GHz
• ESR در 1GHz: <0.08Ω؛ چیپ داخلی ESL: <0.05nH (بدون جاسازی)
• SRF: >10GHz سطح تراشه (بدون جاسازی شده) >1.5GHz با سیم اتصال Au 0.5mm
• جریان نشت: <10nA در 25°C در 50V DC؛ مقاومت عایق ≥104 MΩ در ولتاژ نامی، 25°C
• قدرت کشش اتصال سیم: >6gf برای سیم Au 25μm (طریقه MIL-STD-883 2011.7)
• حساسیت به رطوبت: MSL 1 (زندگی نامحدودی کف بر اساس J-STD-020)
• درجه بندی ESD: کلاس 0 (HBM) در هر JESD22-A114
• دمای کار: -55°C تا +125°C؛ ذخیره سازی: -65°C تا +150°C
• آزمایش: 100٪ آزمایش شده در هر دسته از وافره (توانایی، DF، نشت، DWV) ، نقشه وافره KGD در دسترس است

کاربردهای معمول

مدارهای آنالوگ دقیق و سیگنال مخلوط: مسیرهای سیگنال صوتی پیشرفته، جداسازی مرجع ADC/DAC و فیلتر کردن ضد نام مستعار، فیلترهای فعال و برابر کننده ها، مدارهای نمونه گیری و نگه داشتن،ابزار دقیق، سیستم های سرو و اندازه گیری، و پایان های جلو آنالوگ پهن باند که صدا را از طریق فرکانس های مایکروویو گسترش می دهد.