アナログ用 超低全高調波歪MOSキャパシタ 誘電体分散ゼロ 単層チップ 100pF 50V

HACC101S50V601 100pF 50V MOSコンデンサ 超低高調波歪み 誘電体分散ゼロ 常誘電体SiO2 単層チップ

HACC101S50V601は、100pF ±10%、50V DC定格の単層MOSコンデンサです。フロートゾーンシリコン（>1000 Ω・cm）上に、非晶質常誘電体熱SiO₂誘電体とTiW-Au / TiW-Pt-Au金属化で製造されています。標準チップ寸法は0.50mm × 0.50mm × 0.15mm（±25μm）です。熱SiO₂は常誘電体（強誘電体ドメインなし）であるため、このデバイスは超線形な静電容量対電圧特性と周波数に依存しない誘電率を示し、コンデンサ誘起歪みや値の変動が許容されない精密アナログおよび混合信号回路に適しています。

アナログ信号経路向けの超低高調波歪み

電圧依存性のある静電容量は、それを通過する信号を変調し、高調波歪みを発生させます。強誘電体セラミック誘電体（X7R、X5Rクラス）は、DCバイアス下で値が30〜80％変化するため、アナログ信号を測定可能なレベルで歪ませます。HACC101S50V601の常誘電体SiO₂誘電体には強誘電体ドメインがなく、静電容量はバイアス電圧に対してほぼ一定に保たれます。

• 超線形CV特性: 0Vから定格の50Vまでの静電容量変化は0.05％未満（電圧係数 <10 ppm/V）であるため、デバイスは信号経路に測定可能なC(V)非線形性を追加しません。
• 低損失係数: 1kHz（1.0Vrms）で≤0.15％、tanδ <0.001 at 1GHzで、抵抗損失は精密回路の歪みやノイズ性能に影響を与えるレベルをはるかに下回ります。
• 低誘電体吸収: 1kHzで<0.1％。誘電体は無視できる電荷メモリを蓄積するため、サンプルホールド回路、積分器、および精密フィルタは電圧誤差の残渣なしに真のゼロに回復します。
• 経時変化なし: 常誘電体誘電体には強誘電体ドメインの緩和がないため、静電容量は時間とともに減衰せず、長寿命の計測器では経時補償を必要としません。

電気的特性と信頼性

• 静電容量: 100pF ±10%（カスタムオーダーでは±5%も可能）
• 温度係数（TCC）: -55℃〜+125℃で+35 ppm/℃
• Qファクタ: 1MHzで>2000、1GHzで>300
• 1GHzでのESR: <0.08Ω; チップ固有ESL: <0.05nH（デエンベデッド）
• SRF: チップレベルで>10GHz（デエンベデッド）; 0.5mm Auワイヤボンディングで>1.5GHz
• 漏洩電流: 50V DC、25℃で<10nA; 絶縁抵抗 ≥10¹⁴ MΩ（定格電圧、25℃）
• ワイヤボンディングプル強度: 25μm Auワイヤで>6gf（MIL-STD-883 Method 2011.7）
• 吸湿性: MSL 1（J-STD-020準拠で無制限のフロアライフ）
• ESD定格: クラス0（HBM）JESD22-A114準拠 — 標準的なESD対策で取り扱ってください
• 動作温度: -55℃〜+125℃; 保管温度: -65℃〜+150℃
• テスト: ウェハロットごとに100%ダイテスト（静電容量、DF、漏洩、DWV）、KGDウェハマップ利用可能

主な用途

精密アナログおよび混合信号回路: ハイエンドオーディオ信号経路、ADC/DACリファレンスデカップリングおよびアンチエイリアスフィルタリング、アクティブフィルタおよびイコライザ、サンプルホールド回路、精密計測器、サーボおよび測定システム、オーディオからマイクロ波周波数までをカバーする広帯域アナログフロントエンド。