Ultra Low Total Harmonic Distortion MOS Kondensator Zero Dielektrik Dispersi 100 pF 50V Single Layer Chip Untuk Analog

HACC101S50V601 100pF 50V MOS Kondensator Ultra Low Total Harmonic Distorsion Zero Dielektrik Dispersi Paraelektrik SiO2 Single Layer Chip

HACC101S50V601 adalah kapasitor MOS satu lapisan 100pF ± 10% dengan nilai 50V DC, diproduksi pada silikon zona terapung (> 1000 Ω·cm) dengan SiO termal paraelektrik amorf₂dielektrik dan TiW-Au / TiW-Pt-Au metallization. dimensi chip standar adalah 0,50mm × 0,50mm × 0,15mm (± 25μm). Karena SiO termal₂adalah paraelektrik (tidak ada domain ferroelektrik), perangkat menunjukkan karakteristik kapasitansi-versus-voltase ultra-linier dan permittivitas bebas frekuensi,membuatnya cocok untuk sirkuit analog presisi dan sinyal campuran di mana distorsi dan pergeseran nilai yang disebabkan kondensator tidak dapat ditoleransi.

Distorsi Harmonik Total Ultra-Rendah untuk Jalur Sinyal Analog

Setiap kapasitansi tegangan-tergantung memodulasi sinyal yang melewatinya dan menghasilkan distorsi harmonik.Kelas X5R) mengubah nilai dengan 30-80% di bawah bias DC dan oleh karena itu mendistorsi sinyal analog secara terukur. SiO paraelektrik₂Dielektrik dari HACC101S50V601 tidak memiliki domain ferroelektrik dan menjaga kapasitansi hampir konstan terhadap tegangan bias:

• Karakteristik CV ultra-linear:Perubahan kapasitansi dari 0V ke rating 50V penuh di bawah 0,05% (koefisien tegangan <10 ppm/V), sehingga perangkat tidak menambahkan nonlinearitas C ((V) yang terukur ke jalur sinyal.
• Faktor disipasi rendah:≤ 0,15% pada 1kHz (1,0Vrms) dan tanδ < 0,001 pada 1GHz, menjaga kerugian resistif jauh di bawah tingkat yang akan mempengaruhi kinerja distorsi atau kebisingan dalam sirkuit presisi.
• Absorpsi dielektrik rendah:Dielektrik menyimpan memori muatan yang tidak penting, sehingga sirkuit sampel-dan-tahan, integrator, dan filter presisi pulih ke nol sejati tanpa residu kesalahan tegangan.
• Tidak ada drift penuaan:Dielektrik paraelektrik tidak memiliki relaksasi domain ferroelektrik, sehingga kapasitansi tidak merosot seiring waktu dan tidak memerlukan kompensasi penuaan dalam instrumen umur panjang.

Karakteristik dan Keandalan Listrik

• Kapasitas: 100pF ±10% (±5% tersedia untuk pesanan khusus)
• Koefisien suhu (TCC): +35 ppm/°C pada -55°C sampai +125°C
• Faktor Q: > 2000 pada 1MHz, > 300 pada 1GHz
• ESR pada 1GHz: <0,08Ω; chip intrinsik ESL: <0,05nH (dihapus)
• SRF: > 10GHz tingkat chip (dihapus dari embedded); > 1,5GHz dengan kawat ikatan Au 0,5mm
• Arus kebocoran: < 10nA pada 25°C pada 50V DC; resistensi isolasi ≥ 104 MΩ pada tegangan nominal, 25°C
• Kekuatan tarikan ikatan kawat: > 6gf untuk kawat Au 25μm (Metode MIL-STD-883 2011.7)
• Sensitivitas kelembaban: MSL 1 (hidup lantai tanpa batas per J-STD-020)
• Klasifikasi ESD: Kelas 0 (HBM) per JESD22-A114
• Suhu operasi: -55°C sampai +125°C; penyimpanan: -65°C sampai +150°C
• Pengujian: 100% die diuji per batch wafer (kapasitas, DF, kebocoran, DWV), peta wafer KGD tersedia

Aplikasi Tipikal

Sirkuit sinyal analog dan campuran presisi: jalur sinyal audio kelas atas, pemisahan referensi ADC / DAC dan penyaringan anti alias, filter aktif dan pemerataan, sirkuit sampel dan tahan,Instrumen presisi, sistem servo dan pengukuran, dan ujung depan analog broadband yang mencakup audio melalui frekuensi gelombang mikro.