Ultra-Low-Klirrfaktor-MOS-Kondensatoren Null Dielektrizitätsdispersion 100 pF 50V Einzelschicht-Chip für Analog

HACC101S50V601 100pF 50V MOS-Kondensator mit extrem geringer Oberwellenverzerrung, keiner dielektrischen Dispersion, paraelektrischem SiO2, einlagig, Chip

Der HACC101S50V601 ist ein 100pF ±10% einlagiger MOS-Kondensator mit einer Nennspannung von 50V DC, gefertigt auf Float-Zone-Silizium (>1000 Ω·cm) mit einem amorphen paraelektrischen thermischen SiO₂ Dielektrikum und TiW-Au / TiW-Pt-Au-Metallisierung. Standard-Chipabmessungen sind 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm (±25 µm). Da thermisches SiO₂ paraelektrisch ist (keine ferroelektrischen Domänen), weist das Bauteil eine ultra-lineare Kapazitäts-Spannungs-Charakteristik und eine frequenzunabhängige Permittivität auf, was es für präzise analoge und gemischt-analoge Schaltungen geeignet macht, bei denen kondensatorinduzierte Verzerrungen und Wertverschiebungen nicht toleriert werden können.

Extrem geringe Oberwellenverzerrung für analoge Signalpfade

Jede spannungsabhängige Kapazität moduliert das durch sie hindurchlaufende Signal und erzeugt Oberwellenverzerrungen. Ferroelektrische Keramikdielektrika (Klassen X7R, X5R) ändern ihren Wert um 30-80% unter Gleichspannungsvorspannung und verzerren daher analoge Signale messbar. Das paraelektrische SiO₂ Dielektrikum des HACC101S50V601 hat keine ferroelektrischen Domänen und hält die Kapazität praktisch konstant über die Vorspannung:

• Ultra-lineare CV-Charakteristik: Die Kapazitätsänderung von 0V bis zur vollen Nennspannung von 50V liegt unter 0,05% (Spannungskoeffizient <10 ppm/V), sodass das Bauteil keine messbare C(V)-Nichtlinearität zum Signalpfad hinzufügt.
• Geringer Verlustfaktor: ≤0,15% bei 1kHz (1,0Vrms) und tanδ <0,001 bei 1GHz, wodurch ohmsche Verluste weit unter dem Niveau gehalten werden, das die Verzerrungs- oder Rauschleistung in Präzisionsschaltungen beeinträchtigen würde.
• Geringe dielektrische Absorption: <0,1% bei 1kHz. Das Dielektrikum speichert nur geringe Ladungsspeicher, sodass Sample-and-Hold-Schaltungen, Integratoren und Präzisionsfilter ohne Spannungsfehlerrest auf echtes Null zurückkehren.
• Keine Alterungsdrift: Das paraelektrische Dielektrikum hat keine Relaxationszeit von ferroelektrischen Domänen, sodass die Kapazität nicht mit der Zeit abnimmt und keine Alterungskompensation in langlebigen Instrumenten erfordert.

Elektrische Eigenschaften und Zuverlässigkeit

• Kapazität: 100pF ±10% (±5% auf Anfrage erhältlich)
• Temperaturkoeffizient (TCC): +35 ppm/°C über -55°C bis +125°C
• Gütefaktor: >2000 bei 1MHz, >300 bei 1GHz
• ESR bei 1GHz: <0,08Ω; intrinsische Chip-ESL: <0,05nH (de-embedded)
• SRF: >10GHz auf Chipebene (de-embedded); >1,5GHz mit 0,5mm Au-Bonddraht
• Leckstrom: <10nA bei 25°C bei 50V DC; Isolationswiderstand ≥10⁴ MΩ bei Nennspannung, 25°C
• Drahtzugfestigkeit: >6gf für 25µm Au-Draht (MIL-STD-883 Methode 2011.7)
• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: MSL 1 (unbegrenzte Lagerfähigkeit gemäß J-STD-020)
• ESD-Rating: Klasse 0 (HBM) gemäß JESD22-A114 — Handhabung mit Standard-ESD-Vorsichtsmaßnahmen
• Betriebstemperatur: -55°C bis +125°C; Lagerung: -65°C bis +150°C
• Prüfung: 100% Die-Test pro Wafer-Lot (Kapazität, DF, Leckstrom, DWV), KGD-Wafer-Map verfügbar

Typische Anwendungen

Präzisions-Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen: High-End-Audio-Signalpfade, ADC/DAC-Referenzentkopplung und Anti-Aliasing-Filterung, aktive Filter und Equalizer, Sample-and-Hold-Schaltungen, Präzisionsinstrumentierung, Servo- und Messsysteme sowie Breitband-Analog-Frontends, die Audio- bis Mikrowellenfrequenzen abdecken.