আল্ট্রা লো টোটাল হারমোনিক ডিসঅর্ডার এমওএস ক্যাপাসিটরস জিরো ডাইলেক্ট্রিক ডিসপারশন 100 পিএফ 50 ভি একক স্তর চিপ অ্যানালগ জন্য

HACC101S50V601 100pF 50V MOS ক্যাপাসিটর আল্ট্রা লো টোটাল হারমোনিক ডিসটর্শন জিরো ডাইইলেকট্রিক ডিসপারশন প্যারা-ইলেকট্রিক SiO2 সিঙ্গেল লেয়ার চিপ

HACC101S50V601 হল একটি 100pF ±10% সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যা 50V DC রেটযুক্ত, ফ্লোট-জোন সিলিকন (>1000 Ω·cm) এর উপর তৈরি একটি অ্যামোরফাস প্যারা-ইলেকট্রিক থার্মাল SiO₂ ডাইইলেকট্রিক এবং TiW-Au / TiW-Pt-Au মেটালাইজেশন সহ। স্ট্যান্ডার্ড চিপের মাত্রা হল 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm (±25μm)। যেহেতু থার্মাল SiO₂ প্যারা-ইলেকট্রিক (কোন ফেরোইলেকট্রিক ডোমেইন নেই), ডিভাইসটি একটি আল্ট্রা-লিনিয়ার ক্যাপাসিট্যান্স-ভার্সাস-ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্য এবং একটি ফ্রিকোয়েন্সি-স্বাধীন পারমিটিভিটি প্রদর্শন করে, যা এটিকে নির্ভুল অ্যানালগ এবং মিক্সড-সিগন্যাল সার্কিটের জন্য উপযুক্ত করে তোলে যেখানে ক্যাপাসিটর-প্ররোচিত বিকৃতি এবং মানের পরিবর্তন সহ্য করা যায় না।

অ্যানালগ সিগন্যাল পাথের জন্য আল্ট্রা-লো টোটাল হারমোনিক ডিসটর্শন

যেকোনো ভোল্টেজ-নির্ভর ক্যাপাসিট্যান্স এর মধ্য দিয়ে প্রবাহিত সংকেতকে মডুলেট করে এবং হারমোনিক বিকৃতি তৈরি করে। ফেরোইলেকট্রিক সিরামিক ডাইইলেকট্রিক (X7R, X5R ক্লাস) DC বায়াসের অধীনে 30-80% পরিবর্তিত হয় এবং তাই অ্যানালগ সংকেতকে পরিমাপযোগ্যভাবে বিকৃত করে। HACC101S50V601 এর প্যারা-ইলেকট্রিক SiO₂ ডাইইলেকট্রিকের কোনো ফেরোইলেকট্রিক ডোমেইন নেই এবং বায়াস ভোল্টেজের বিপরীতে ক্যাপাসিট্যান্সকে কার্যত স্থির রাখে:

• আল্ট্রা-লিনিয়ার CV বৈশিষ্ট্য: 0V থেকে সম্পূর্ণ 50V রেটিং পর্যন্ত ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তন 0.05% এর নিচে (ভোল্টেজ সহগ <10 ppm/V), তাই ডিভাইসটি সিগন্যাল পাথে কোনো পরিমাপযোগ্য C(V) নন-লিনিয়ারিটি যোগ করে না।
• কম ডিসিপেশন ফ্যাক্টর: 1kHz (1.0Vrms) এ ≤0.15% এবং tanδ 1GHz এ <0.001, নির্ভুল সার্কিটে বিকৃতি বা নয়েজ পারফরম্যান্সকে প্রভাবিত করবে এমন স্তরের চেয়ে অনেক নিচে রেজিস্ট্রিভ লস রাখে।
• কম ডাইইলেকট্রিক শোষণ: 1kHz এ <0.1%। ডাইইলেকট্রিক নগণ্য চার্জ মেমরি সঞ্চয় করে, তাই স্যাম্পল-এন্ড-হোল্ড সার্কিট, ইন্টিগ্রেটর এবং নির্ভুল ফিল্টার ভোল্টেজ-ত্রুটি অবশিষ্টাংশ ছাড়াই সত্য শূন্যে পুনরুদ্ধার করে।
• কোনো বার্ধক্যজনিত পরিবর্তন নেই: প্যারা-ইলেকট্রিক ডাইইলেকট্রিকের কোনো ফেরোইলেকট্রিক ডোমেইন রিলাক্সেশন নেই, তাই ক্যাপাসিট্যান্স সময়ের সাথে সাথে ক্ষয় হয় না এবং দীর্ঘ-জীবনের যন্ত্রপাতিতে বার্ধক্য ক্ষতিপূরণের প্রয়োজন হয় না।

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং নির্ভরযোগ্যতা

• ক্যাপাসিট্যান্স: 100pF ±10% (কাস্টম অর্ডারে ±5% উপলব্ধ)
• তাপমাত্রা সহগ (TCC): -55°C থেকে +125°C পর্যন্ত +35 ppm/°C
• Q ফ্যাক্টর: 1MHz এ >2000, 1GHz এ >300
• 1GHz এ ESR: <0.08Ω; ইন্ট্রিনসিক চিপ ESL: <0.05nH (ডি-এমবেডেড)
• SRF: >10GHz চিপ-লেভেল (ডি-এমবেডেড); 0.5mm Au বন্ড ওয়্যার সহ >1.5GHz
• লিকেজ কারেন্ট: 25°C এ 50V DC তে <10nA; ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স ≥10¹⁴ MΩ রেট করা ভোল্টেজে, 25°C
• ওয়্যার বন্ড পুল শক্তি: 25μm Au ওয়্যারের জন্য >6gf (MIL-STD-883 Method 2011.7)
• আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা: MSL 1 (J-STD-020 অনুযায়ী সীমাহীন ফ্লোর লাইফ)
• ESD রেটিং: JESD22-A114 অনুযায়ী ক্লাস 0 (HBM) — স্ট্যান্ডার্ড ESD সতর্কতা সহ হ্যান্ডেল করুন
• অপারেটিং তাপমাত্রা: -55°C থেকে +125°C; স্টোরেজ: -65°C থেকে +150°C
• পরীক্ষা: 100% ডাই টেস্ট প্রতি ওয়েফার লট (ক্যাপাসিট্যান্স, DF, লিকেজ, DWV), KGD ওয়েফার ম্যাপ উপলব্ধ

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

নির্ভুল অ্যানালগ এবং মিক্সড-সিগন্যাল সার্কিট: হাই-এন্ড অডিও সিগন্যাল পাথ, ADC/DAC রেফারেন্স ডিকাপলিং এবং অ্যান্টি-এলিয়াস ফিল্টারিং, অ্যাক্টিভ ফিল্টার এবং ইকুয়ালাইজার, স্যাম্পল-এন্ড-হোল্ড সার্কিট, নির্ভুল ইন্সট্রুমেন্টেশন, সার্ভো এবং পরিমাপ সিস্টেম, এবং অডিও থেকে মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি পর্যন্ত বিস্তৃত ওয়াইডব্যান্ড অ্যানালগ ফ্রন্ট এন্ড।