Capacitadores MOS de pasivación dieléctrica avanzada Geometría de borde de paso 1000 pF 100V Chip de capa única para la prevención de arco

HACC102S100V301 1000pF 100V Capacitor MOS Dieléctrico Avanzado Pasivación Paso Borde Geometría Resistente a la Humedad Chip de una Sola Capa

El HACC102S100V301 es un capacitor MOS de una sola capa de 1000pF ±10% con una clasificación de 100V CC, fabricado en silicio de zona flotante (>1000 Ω·cm) con un dieléctrico de SiO amorfo térmico₂ y metalización TiW-Au / TiW-Pt-Au. Las dimensiones estándar del chip son 0.75mm × 0.75mm × 0.20mm (±25μm), con capacitancia, clasificación de voltaje, geometría de die (relación de aspecto hasta 4:1) y metalización posterior disponibles bajo pedido. Está diseñado para microcircuitos híbridos donde la exposición a la humedad, el alto sesgo de CC y la operación a baja presión exigen más de un capacitor de chip de lo que los dispositivos estándar pueden ofrecer.

Pasivación Dieléctrica Avanzada para Resistencia a la Humedad

La superficie expuesta de SiO térmico₂ de un capacitor MOS desnudo es hidrofílica y puede adsorber humedad y contaminación iónica durante el ensamblaje, lo que crea una ruta de fuga superficial y desplaza la capacitancia efectiva del dispositivo. El HACC102S100V301 aplica una capa de pasivación dieléctrica avanzada sobre toda la superficie dieléctrica para suprimir la adsorción de humedad y mantener el dispositivo eléctricamente estable:

• Sensibilidad a la humedad MSL 1: Vida útil ilimitada en piso clasificada según J-STD-020. La superficie pasivada elimina la necesidad de secado previo antes de la unión del die o el enlace de alambre en líneas de ensamblaje híbrido.
• Supresión de fugas superficiales: La pasivación bloquea la formación de películas de agua y la contaminación iónica (residuos de fundente, residuos de manipulación) en el dieléctrico, manteniendo una resistencia de aislamiento estable en entornos de producción húmedos.
• Corriente de fuga estable: La corriente de fuga es <10nA a 25°C y <500nA a 200°C a 100V CC, con una resistencia de aislamiento ≥10¹⁴ MΩ a voltaje nominal, 25°C.
• Robustez al ciclo térmico: La capa de pasivación y la base de adhesión TiW se adaptan al sustrato de silicio, permaneciendo intactas a través de ciclos térmicos repetidos de -55°C a +200°C sin agrietarse ni delaminarse.

Características Eléctricas y Fiabilidad

• Capacitancia: 1000pF ±10% (±5% disponible en pedidos personalizados)
• Coeficiente de temperatura (TCC): +35 ppm/°C de -55°C a +200°C
• Factor Q: >2000 a 1MHz, >200 a 1GHz
• Factor de disipación: ≤0.15% a 1kHz, 1.0Vrms
• ESR a 1GHz: <0.1Ω
• ESL intrínseca del chip: 1.5GHz; SRF del sistema >600MHz con cable de unión Au de 0.5mm
• Tolerancia ESD: >2kV HBM (Clase 2 según JESD22-A114)
• Resistencia de tracción del cable de unión: >6gf para cable Au de 25μm (MIL-STD-883 Método 2011.7)
• Temperatura de operación: -55°C a +200°C; almacenamiento: -65°C a +150°C
• Fiabilidad: 100% probado en producción (capacitancia, DF, fuga, DWV), mapa de oblea KGD por lote, controlado por SPC por lote de oblea

Aplicaciones Típicas

Redes de sesgo de alto voltaje CC y desacoplamiento en amplificadores de potencia RF, bloqueo de CC en módulos de microondas, electrónica de carga útil de satélites y espaciales, microcircuitos híbridos de defensa, aviónica de gran altitud y controles industriales en entornos hostiles donde hay humedad, temperaturas extremas y alto voltaje de sesgo.