Erweiterte dielektrische Passivierung MOS Kondensatoren Schritt Rand Geometrie 1000 pF 100V Einzelschicht Chip für Bogen über Prävention

HACC102S100V301 1000pF 100V MOS-Kondensator Fortschrittliche Dielektrikumspassivierung Kantenform Feuchtigkeitsbeständig Einzelschicht-Chip

Der HACC102S100V301 ist ein 1000pF ±10% Einzelschicht-MOS-Kondensator mit einer Nennspannung von 100V DC, gefertigt auf Float-Zone-Silizium (>1000 Ω·cm) mit einem amorphen thermischen SiO₂ Dielektrikum und TiW-Au / TiW-Pt-Au Metallisierung. Standard-Chipabmessungen sind 0,75 mm × 0,75 mm × 0,20 mm (±25 µm), mit kundenspezifischer Kapazität, Spannungsfestigkeit, Die-Geometrie (Seitenverhältnis bis zu 4:1) und Rückseitenmetallisierung auf Anfrage erhältlich. Er ist für hybride Mikroelektronik konzipiert, bei denen Feuchtigkeitsexposition, hohe DC-Vorspannung und Betrieb bei reduziertem Druck mehr von einem Chip-Kondensator verlangen, als Standardgeräte liefern können.

Fortschrittliche Dielektrikumspassivierung für Feuchtigkeitsbeständigkeit

Die freiliegende thermische SiO₂ Oberfläche eines blanken MOS-Kondensators ist hydrophil und kann während der Montage Feuchtigkeit und ionische Verunreinigungen adsorbieren, was einen Oberflächenleckpfad erzeugt und die effektive Kapazität des Geräts verschiebt. Der HACC102S100V301 verwendet eine fortschrittliche Dielektrikumspassivierungsschicht über die gesamte Dielektrikumsoberfläche, um die Feuchtigkeitsadsorption zu unterdrücken und das Gerät elektrisch stabil zu halten:

• Feuchtigkeitsempfindlichkeit MSL 1: Nennlebensdauer unbegrenzt gemäß J-STD-020. Die passivierte Oberfläche eliminiert die Notwendigkeit eines Trockenbrennens vor dem Die-Attach oder Drahtbonden in hybriden Montagelinien.
• Unterdrückung von Oberflächenleckagen: Die Passivierung blockiert die Bildung von Wasserfilmen und ionischen Verunreinigungen (Flussmittelrückstände, Handhabungsrückstände) auf dem Dielektrikum und erhält einen stabilen Isolationswiderstand in feuchten Produktionsumgebungen.
• Stabiler Leckstrom: Der Leckstrom beträgt <10nA bei 25°C und <500nA bei 200°C bei 100V DC, mit einem Isolationswiderstand von ≥10⁴ MΩ bei Nennspannung, 25°C.
• Robustheit bei thermischer Wechselbelastung: Die Passivierungsschicht und die TiW-Haftbasis sind auf das Siliziumsubstrat abgestimmt und bleiben bei wiederholten thermischen Zyklen von -55°C bis +200°C intakt, ohne Risse oder Delamination.

Elektrische Eigenschaften und Zuverlässigkeit

• Kapazität: 1000pF ±10% (±5% bei kundenspezifischen Bestellungen erhältlich)
• Temperaturkoeffizient (TCC): +35 ppm/°C über -55°C bis +200°C
• Gütefaktor: >2000 bei 1MHz, >200 bei 1GHz
• Verlustfaktor: ≤0,15% bei 1kHz, 1,0Vrms
• ESR bei 1GHz: <0,1Ω
• Intrinsische Chip-ESL: 1,5GHz; System-SRF >600MHz mit 0,5mm Au-Bonddraht
• ESD-Toleranz: >2kV HBM (Klasse 2 gemäß JESD22-A114)
• Drahtzugfestigkeit: >6gf für 25µm Au-Draht (MIL-STD-883 Methode 2011.7)
• Betriebstemperatur: -55°C bis +200°C; Lagerung: -65°C bis +150°C
• Zuverlässigkeit: 100% Produktionstests (Kapazität, DF, Leckage, DWV), KGD-Wafer-Map pro Los, SPC-kontrolliert pro Wafer-Los

Typische Anwendungen

Hochspannungs-DC-Bias-Netzwerke und Entkopplung in HF-Leistungsverstärkern, DC-Blockierung in Mikrowellenmodulen, Satelliten- und Weltraum-Nutzlastelektronik, militärische Hybrid-Mikroelektronik, Avionik in großer Höhe und Industriesteuerungen für raue Umgebungen, bei denen Feuchtigkeit, extreme Temperaturen und hohe Vorspannung vorhanden sind.