Condensateurs MOS à passivité diélectrique avancée géométrie de bord d'étape 1000 pF 100V puce à couche unique pour la prévention de l'arc

HACC102S100V301 Condensateur MOS 1000pF 100V Diélectrique Avancé Passivation Bord de Tranche Géométrie Résistant à l'Humidité Monocouche Puce

Le HACC102S100V301 est un condensateur MOS monocouche de 1000pF ±10% nominal à 100V DC, fabriqué sur silicium float-zone (>1000 Ω·cm) avec un diélectrique thermique SiO₂ amorphe et une métallisation TiW-Au / TiW-Pt-Au. Les dimensions standard de la puce sont de 0,75 mm × 0,75 mm × 0,20 mm (±25 µm), avec une capacité personnalisée, une tension nominale, une géométrie de puce (rapport d'aspect jusqu'à 4:1) et une métallisation arrière disponibles sur demande. Il est conçu pour les microcircuits hybrides où l'exposition à l'humidité, la haute tension de polarisation DC et le fonctionnement à pression réduite exigent plus d'un condensateur à puce que les dispositifs standard ne peuvent offrir.

Passivation Diélectrique Avancée pour la Résistance à l'Humidité

La surface exposée de SiO₂ thermique d'un condensateur MOS nu est hydrophile et peut adsorber l'humidité et la contamination ionique pendant l'assemblage, ce qui crée un chemin de fuite de surface et décale la capacité effective du dispositif. Le HACC102S100V301 applique une couche de passivation diélectrique avancée sur toute la surface diélectrique pour supprimer l'adsorption d'humidité et maintenir le dispositif électriquement stable :

• Sensibilité à l'humidité MSL 1 : Durée de vie au sol illimitée par J-STD-020. La surface passivée élimine le besoin de séchage avant la fixation de la puce ou le soudage par fil dans les lignes d'assemblage hybrides.
• Suppression des fuites de surface : La passivation bloque la formation de films d'eau et la contamination ionique (résidus de flux, résidus de manipulation) sur le diélectrique, maintenant une résistance d'isolement stable dans les environnements de production humides.
• Courant de fuite stable : Le courant de fuite est de <10nA à 25°C et <500nA à 200°C à 100V DC, avec une résistance d'isolement ≥10¹⁴ MΩ à la tension nominale, 25°C.
• Robustesse au cyclage thermique : La couche de passivation et la base d'adhérence TiW sont adaptées au substrat de silicium, restant intactes lors de cycles thermiques répétés de -55°C à +200°C sans fissuration ni délaminage.

Caractéristiques Électriques et Fiabilité

• Capacité : 1000pF ±10% (±5% disponible sur commande personnalisée)
• Coefficient de température (TCC) : +35 ppm/°C sur -55°C à +200°C
• Facteur Q : >2000 à 1MHz, >200 à 1GHz
• Facteur de dissipation : ≤0,15% à 1kHz, 1,0Vrms
• ESR à 1GHz : <0,1Ω
• ESL intrinsèque de la puce : 1,5GHz ; SRF du système >600MHz avec fil de liaison Au de 0,5mm
• Tolérance ESD : >2kV HBM (Classe 2 selon JESD22-A114)
• Force de traction du fil de liaison : >6gf pour fil Au de 25µm (MIL-STD-883 Méthode 2011.7)
• Température de fonctionnement : -55°C à +200°C ; stockage : -65°C à +150°C
• Fiabilité : testé en production à 100% (capacité, DF, fuite, DWV), carte de plaquette KGD par lot, contrôlé SPC par lot de plaquettes

Applications Typiques

Réseaux de polarisation DC haute tension et découplage dans les amplificateurs de puissance RF, blocage DC dans les modules micro-ondes, électronique de charge utile satellite et spatiale, microcircuits hybrides de défense, avionique à haute altitude et commandes industrielles en environnement hostile où l'humidité, les températures extrêmes et la haute tension de polarisation sont présentes.