Memoria dieléctrica cero 1000pF 80V Condensador MOS Características CV ultralineales SiO2 paraeléctrico Chip RF de una sola capa

Condensador MOS de memoria dieléctrica cero HACC102S80V500: 1000pF 80V con características C-V ultralineales y SiO paraeléctrico_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:} Dieléctrico

El HACC102S80V500 es un condensador MOS de capa única de 1000pF ±10% con una tensión nominal de 80V CC, fabricado sobre silicio de zona flotante (>1000Ω·cm) con SiO paraeléctrico de 300nm crecido térmicamente_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:} dieléctrico. Las dimensiones del chip son 0,75 mm × 0,75 mm × 0,15 mm con metalización superior TiW-Au (mínimo 2,5 µm de Au) y parte posterior TiW-Pt-Au (mínimo 1,0 µm de Au, barrera de Pt). Este dispositivo está diseñado para aplicaciones analógicas y de RF de precisión donde los efectos de memoria dieléctrica, la no linealidad de la capacitancia con el voltaje y la deriva de capacitancia a largo plazo son factores limitantes del diseño. Totalmente personalizable: capacitancia de 10pF a 1000pF, tensiones nominales de 6,3V a 100V, geometrías de chip personalizadas y opciones de metalización alternativas disponibles.

1. Memoria Dieléctrica Cero: La Ventaja Paraeléctrica del SiO Térmico_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}

La memoria dieléctrica es una limitación fundamental de los dieléctricos cerámicos ferroeléctricos utilizados en los MLCC de Clase II (X7R, X5R, Y5V) y muchos condensadores de película delgada. En materiales ferroeléctricos como el titanato de bario (BaTiO₃), la polarización espontánea de los dominios cristalinos crea una capacitancia dependiente del voltaje que presenta histéresis (memoria del estado de polarización previo) y envejecimiento logarítmico (relajación de la polarización del dominio con el tiempo). El HACC102S80V500 elimina ambos efectos por completo al utilizar dióxido de silicio crecido térmicamente, un dieléctrico puramente paraeléctrico sin dominios ferroeléctricos:

• Absorción Dieléctrica Cero: Cuando un condensador se cortocircuita momentáneamente después de cargarse, un dieléctrico ideal regresa a voltaje cero. En la práctica, los dieléctricos ferroeléctricos retienen un voltaje residual (típicamente 0,1-5% de la carga original) que decae lentamente durante segundos o minutos, un fenómeno conocido como absorción dieléctrica o remojo. El SiO paraeléctrico del HACC102S80V500_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:} presenta una absorción dieléctrica inferior al 0,1% a 1 kHz, una mejora de un orden de magnitud con respecto a las cerámicas de Clase II (2-5%). En circuitos de muestreo y retención de precisión, un error de absorción dieléctrica del 5% se traduce directamente en un error de medición de voltaje del 5%. La absorción de SiO inferior al 0,1%2_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}Tasa de Envejecimiento Cero:
• Los condensadores X7R de Clase II presentan una decadencia logarítmica de capacitancia de aproximadamente 3-5% por década de hora debido a la relajación de los dominios ferroeléctricos. Un condensador X7R de 1000pF medido en t=0 decaerá a aproximadamente 950pF después de 1000 horas, y continuará disminuyendo logarítmicamente a partir de entonces. El HACC102S80V500, con su dieléctrico de SiO paraeléctrico2_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}Sin Bucle de Histéresis:
• Los dieléctricos ferroeléctricos presentan un bucle característico de polarización frente a voltaje (P-V) análogo al bucle B-H de los materiales magnéticos. En términos de condensadores, esto significa que la capacitancia medida al aumentar el voltaje difiere de la capacitancia medida al disminuir el voltaje, creando una banda de incertidumbre dependiente del historial del 2-10% en los MLCC ferroeléctricos. El SiO paraeléctrico2_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}2. Características C-V Ultralineales: Capacitancia Independiente del Voltaje Aplicado

La capacitancia de un MLCC ferroeléctrico disminuye significativamente bajo voltaje de polarización CC, un fenómeno conocido como coeficiente de polarización CC o coeficiente de voltaje de capacitancia (VCC). Los dieléctricos X7R de Clase II pueden perder entre el 30% y el 80% de su capacitancia nominal a la tensión CC nominal. El HACC102S80V500 elimina esta degradación gracias a la naturaleza paraeléctrica del SiO

2_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}VCC Ultrabajo (<10 ppm/V):

• A diferencia de la estructura cristalina de perovskita de titanato de bario, que cambia su constante dieléctrica en respuesta a un campo eléctrico aplicado (el efecto electroestrictivo), la constante dieléctrica del SiO amorfo2 de 3,9 es fundamentalmente independiente del campo aplicado. El VCC medido de <10 ppm/V significa que un condensador de 1000pF a 0V CC mantiene 999pF a 80V CC, un cambio de menos del 0,1%. Esto representa una mejora de 300-800 veces con respecto a los MLCC X7R._{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:} En una red de polarización de un amplificador de potencia de RF, un condensador de desacoplo que experimenta una caída de capacitancia del 50% bajo el voltaje de polarización nominal crea un desplazamiento de resonancia en el divisor de tensión que puede desintonizar la red de adaptación en cientos de MHz a frecuencias de microondas. La característica C-V ultralineal del HACC102S80V500 elimina esta fuente de incertidumbre de impedancia, permitiendo una simulación de circuito predecible y un éxito de diseño a la primera.Sin No Linealidad de Amplitud de CA:
• Además de los efectos de polarización CC, los dieléctricos ferroeléctricos presentan variación de capacitancia con la amplitud de la señal de CA; la curva C-V es no lineal incluso alrededor del punto de polarización cero. Esto crea distorsión armónica: un voltaje sinusoidal a través de un condensador no lineal genera corrientes armónicas. El SiO paraeléctrico2
• en el HACC102S80V500 tiene una respuesta dieléctrica lineal hasta el campo de ruptura dieléctrica (>10 MV/cm), lo que significa que la capacitancia es independiente de la amplitud de la señal de CA para todos los niveles de potencia de RF prácticos a través del dispositivo.Características Principales_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:} El dieléctrico de SiO paraeléctrico

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• sin dominios ferroeléctricos elimina la histéresis de absorción dieléctrica, el envejecimiento logarítmico y la histéresis P-V. Absorción dieléctrica <0,1%, tasa de envejecimiento 0% por década de hora.Características C-V Ultralineales:_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}Alta Tensión Nominal (80V CC): El dieléctrico de SiO térmico de 300 nm
• 2 proporciona >200V DWV (250% nominal) con una resistencia a la ruptura intrínseca >10 MV/cm. Adecuado para redes de polarización de alto voltaje en amplificadores de potencia GaN.Alta Densidad de Capacitancia (1000pF):
• 1000pF en un área de 0,75 mm × 0,75 mm proporciona la mayor capacitancia disponible en la plataforma MOS de capa única, adecuada para bypass y acoplamiento de baja frecuencia donde los MLCC introducirían errores de memoria dieléctrica.Plataforma Personalizable:_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}Especificaciones Eléctricas (T = 25°C a menos que se indique lo contrario)
• ParámetroValor
• CondiciónCapacitancia

1000pF ±10%

Referencia Rápida de Ensamblaje

• Unión del Chip:
• Soldadura eutéctica AuSn (300–320°C, gas de formación N
• 2
• /H
• 2
• ) para la menor resistencia de tierra. Epoxi conductor de Ag (Epotek H20E, 120°C/30min) como alternativa.

Cableado:

• Unión de bola termoiónica de Au de 25 µm (etapa de 120–150°C, fuerza de 15–35gf, resistencia a la tracción >6gf). Zona de unión ≥25 µm del borde del electrodo.Almacenamiento:_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}Pedido y Configuración Personalizada_{El producto estándar se envía como chips cuadrados de 0,75 mm × 0,75 mm en bandejas de gofres conductoras. Configuraciones personalizadas disponibles con cantidades mínimas de pedido a partir de 10 piezas:}Capacitancia personalizada de 10pF a 1000pF en huellas estándar (0,50 mm–1,00 mm)
• Tensiones nominales de 6,3V a 100V CCGeometrías de chip rectangulares con relación de aspecto de hasta 4:1
• Metalización posterior alternativa para procesos de ensamblaje específicosContáctenos con sus especificaciones objetivo para una evaluación de viabilidad y cotización. Las muestras de evaluación estándar de 1000pF se envían en 1–2 semanas.