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Condensatori MOS

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC101S50V200
MOQ:	100 pezzi
Termini di pagamento:	T/T,L/C,D/P,D/A

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS

Metallizzazione superiore:

TiW + Au, 2,5 µm min (4 µm per collegamento a nastro)

Metallizzazione del retro:

TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min

Tipo di montaggio:

Attacco della matrice epossidica o eutettica o conduttiva AuSn, più collegamento del filo

Temperatura operativa:

Da -55°C a +125°C

Livello di sensibilità all'umidità:

MSL1 (J-STD-020)

Qualificazione:

1000 h HTOL, 500 cicli -65/+150°C, 500 h 85/85 umidità parziale

Opzioni di imballaggio:

Confezione di waffle, gel-pak, nastro e bobina da 8 mm o 12 mm, vassoi personalizzati

Evidenziare:

MOS Capacitors 100 pF ±1%

,

50V Low Loss MOS Capacitors

,

Single Layer Chip RF Capacitors

Descrizione di prodotto

HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,

Etichette:

Capacitore SLC

Capacitore legato a filo

Capacitore ceramico a uno strato

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