HongAn Microwave Co., Ltd.
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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पादों Created with Pixso.
एमओएस कैपेसिटर
Created with Pixso.

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

ब्रांड का नाम: Hoan
मॉडल नंबर: HACC101S50V200
MOQ: 100 नग
भुगतान की शर्तें: टी/टी, एल/सी, डी/पी, डी/ए
विस्तृत जानकारी
उत्पाद का वर्णन
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
शानक्सी, चीन
प्रमाणन:
ISO 9001:2015, RoHS
शीर्ष धातुकरण:
TiW + Au, 2.5 µm मिनट (रिबन बांड के लिए 4 µm)
पीछे की ओर धातुकरण:
TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au मिनट
माउन्टिंग का प्रकार:
AuSn यूटेक्टिक या कंडक्टिव एपॉक्सी डाई अटैच, प्लस वायर बॉन्डिंग
परिचालन तापमान:
-55°C से +125°C
नमी संवेदनशीलता स्तर:
एमएसएल 1 (जे-एसटीडी-020)
योग्यता:
1000 घंटे एचटीओएल, 500 चक्र -65/+150 डिग्री सेल्सियस, 500 घंटे 85/85 पक्षपाती आर्द्रता
पैकेजिंग विकल्प:
वफ़ल पैक, जेल-पाक, 8 मिमी या 12 मिमी टेप और रील, कस्टम ट्रे
प्रमुखता देना:

MOS Capacitors 100 pF ±1%

,

50V Low Loss MOS Capacitors

,

Single Layer Chip RF Capacitors

उत्पाद का वर्णन
HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,
टैग: 

एसएलसी कैपेसिटर  

वायर बॉन्डेबल कैपेसिटर  

सिंगल लेयर सिरेमिक कैपेसिटर

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