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MOS Kondensatoren

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC101S50V200
Mindestbestellmenge:	100 Stück
Zahlungsbedingungen:	T/T,L/C,D/P,D/A

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Top-Metallisierung:

TiW + Au, 2,5 µm min (4 µm für Bandbindung)

Rückseitenmetallisierung:

TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min

Montageart:

AuSn-Eutektikum oder leitendes Epoxid-Die-Attach sowie Drahtbonden

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Feuchtigkeitsempfindlichkeit:

MSL 1 (J-STD-020)

Qualifikation:

1000 h HTOL, 500 Zyklen -65/+150 °C, 500 h 85/85 Luftfeuchtigkeit

Verpackungsoptionen:

Waffelpackung, Gel-Pak, 8-mm- oder 12-mm-Band und -Rolle, individuelle Tabletts

Hervorheben:

MOS Capacitors 100 pF ±1%

,

50V Low Loss MOS Capacitors

,

Single Layer Chip RF Capacitors

Produkt-Beschreibung

HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,

Umbauten:

SLC Kondensator

Wirkstoffverbindungskondensator

Einlager-Keramikkondensator

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