λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC101S50V200
MOQ: 100 τεμάχια
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,D/P,D/A
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
TiW + Au, 2,5 µm min (4 µm για κόλληση κορδέλας)
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au min
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέεται ευτηκτική ή αγώγιμη εποξειδική μήτρα AuSn, καθώς και συγκόλληση σύρματος
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία:
MSL 1 (J-STD-020)
Προσόν:
1000 ώρες HTOL, 500 κύκλοι -65/+150°C, 500 ώρες 85/85 προκατειλημμένη υγρασία
Επιλογές συσκευασίας:
Συσκευασία βάφλας, gel-pak, ταινία και καρούλι 8mm ή 12mm, προσαρμοσμένοι δίσκοι
Επισημαίνω:

MOS Capacitors 100 pF ±1%

,

50V Low Loss MOS Capacitors

,

Single Layer Chip RF Capacitors

Περιγραφή προϊόντων
HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,