HongAn Microwave Co., Ltd.

ελληνικά

বাংলা

हिन्दी



المنزل

حولنا

ملف الشركة

جولة في المصنع

مراقبة الجودة

التعليمات

منتجات

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS

مكثف أحادي الطبقة

أخبار

اتصل بنا

يقتبس

تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

مكثفات MOS

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC101S50V200
موك:	100 قطعة
شروط الدفع:	تي / تي، خطاب الاعتماد، د / ف، د / أ

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015, RoHS

أعلى المعدنة:

TiW + Au، 2.5 ميكرومتر دقيقة (4 ميكرومتر لسندات الشريط)

تعدين المؤخر:

TiW-Pt-Au، 1.0 ميكرومتر Au دقيقة

نوع التركيب:

يتم إرفاق قالب AuSn سهل الانصهار أو الإيبوكسي الموصل، بالإضافة إلى ربط الأسلاك

درجة حرارة التشغيل:

-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

مستوى حساسية الرطوبة:

إم إس إل 1 (J-STD-020)

مؤهل:

1000 ساعة HTOL، 500 دورة -65/+150 درجة مئوية، 500 ساعة 85/85 رطوبة متحيزة

خيارات التغليف:

عبوة الوافل، عبوة جل، شريط وبكرة 8 مم أو 12 مم، صواني مخصصة

إبراز:

MOS Capacitors 100 pF ±1%

,

50V Low Loss MOS Capacitors

,

Single Layer Chip RF Capacitors

وصف المنتج

HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,

العلامات:

مكثف SLC,المكثف القابل للاتصال بالأسلاك,مكثف سيراميكي من طبقة واحدة

Wire Bondable Capacitor

Single Layer Ceramic Capacitor

منتجات ذات صلة

مكثفات MOS عالية الجهد القوية ذات التفجير المنخفض المصغر للغاية 50 فولت سلك قابل للترابط SLC

مكثفات MOS عالية الجهد القوية ذات التفجير المنخفض المصغر للغاية 50 فولت سلك قابل للترابط SLC

احصل على أفضل سعر

مكثفات MOS لرقاقة RF المخصصة، مقاومة للإشعاع، خرائط رقاقة رقمية ذات استجابة Q مسطحة للفضاء

مكثفات MOS لرقاقة RF المخصصة، مقاومة للإشعاع، خرائط رقاقة رقمية ذات استجابة Q مسطحة للفضاء

احصل على أفضل سعر

النماذج الأولية السريعة مكثفات MOS التخصيص المرن 10 pF الصديق للبيئة سلسلة التوريد المتوافقة مع الشريحة

النماذج الأولية السريعة مكثفات MOS التخصيص المرن 10 pF الصديق للبيئة سلسلة التوريد المتوافقة مع الشريحة

احصل على أفضل سعر

استجابة Q المسطحة ESR المنخفضة مكثفات MOS الامتصاص الكهربائي المنخفض للغاية الشريحة الخلفية الايوتيكية

استجابة Q المسطحة ESR المنخفضة مكثفات MOS الامتصاص الكهربائي المنخفض للغاية الشريحة الخلفية الايوتيكية

احصل على أفضل سعر

مكثفات MOS فائقة الانخفاض في الفقد استقرار ممتاز لـ TCC و VCC 100pF 50V شريحة عالية Q عند الترددات الراديوية

مكثفات MOS فائقة الانخفاض في الفقد استقرار ممتاز لـ TCC و VCC 100pF 50V شريحة عالية Q عند الترددات الراديوية

احصل على أفضل سعر