Anexação de matriz epóxi eutética ou condutiva AuSn, além de ligação de fio
Temperatura operacional:
-55°C a +125°C
Nível de sensibilidade à umidade:
MSL1 (J-STD-020)
Qualificação:
1000 h HTOL, 500 ciclos -65/+150°C, 500 h 85/85 umidade tendenciosa
Opções de embalagem:
Pacote de waffle, gel-pak, fita e carretel de 8mm ou 12mm, bandejas personalizadas
Destacar:
MOS Capacitors 100 pF ±1%
,
50V Low Loss MOS Capacitors
,
Single Layer Chip RF Capacitors
Descrição do produto
HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,