Accesorio de matriz de epoxi conductor o eutéctico AuSn, además de unión de cables
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Nivel de sensibilidad a la humedad:
MSL 1 (J-STD-020)
Calificación:
1000 h HTOL, 500 ciclos -65/+150°C, 500 h 85/85 humedad sesgada
Opciones de embalaje:
Paquete de gofres, gel-pak, cinta y carrete de 8 mm o 12 mm, bandejas personalizadas
Resaltar:
MOS Capacitors 100 pF ±1%
,
50V Low Loss MOS Capacitors
,
Single Layer Chip RF Capacitors
Descripción de producto
HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,
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