Mocowanie eutektyczne lub przewodzące z żywicy epoksydowej AuSn oraz łączenie drutowe
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Poziom czułości na wilgoć:
MSL 1 (J-STD-020)
Kwalifikacja:
1000 h HTOL, 500 cykli -65/+150°C, 500 h 85/85 średnia wilgotność
Opcje pakowania:
Opakowanie waflowe, opakowanie żelowe, taśma i szpula 8 mm lub 12 mm, niestandardowe tacki
Podkreślić:
MOS Capacitors 100 pF ±1%
,
50V Low Loss MOS Capacitors
,
Single Layer Chip RF Capacitors
Opis produktu
HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,