szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

MOS Capacitors 100 pF ±1% Precision Tolerance 50V Low Loss Single Layer Chip for High Frequency RF

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC101S50V200
MOQ: 100 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/P, D/A
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Najlepsza metalizacja:
TiW + Au, 2,5 µm min (4 µm dla spoiwa taśmowego)
Metalizacja z tyłu:
TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au min
Typ mocowania:
Mocowanie eutektyczne lub przewodzące z żywicy epoksydowej AuSn oraz łączenie drutowe
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Poziom czułości na wilgoć:
MSL 1 (J-STD-020)
Kwalifikacja:
1000 h HTOL, 500 cykli -65/+150°C, 500 h 85/85 średnia wilgotność
Opcje pakowania:
Opakowanie waflowe, opakowanie żelowe, taśma i szpula 8 mm lub 12 mm, niestandardowe tacki
Podkreślić:

MOS Capacitors 100 pF ±1%

,

50V Low Loss MOS Capacitors

,

Single Layer Chip RF Capacitors

Opis produktu
HACC101S50V200 - 100 pF 50 V Single-Layer MOS Capacitor for High-Frequency, Low-Loss RF Design Quick Answer The HACC101S50V200 is a wire-bondable single-layer MOS capacitor: 100 pF ±1% at 50 V DC, built on a 300 nm thermally grown SiO₂ dielectric over float-zone silicon. The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm and shows typically 0.05 nH intrinsic ESL, under 0.2 Ω ESR at 1 GHz, and a self-resonant frequency above 2 GHz when mounted with a 0.5 mm gold bond wire. Capacitance,