Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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Null-TCESR MOS Kondensator 100pF 50V Einzelschicht-Chip für ultra-stabile HF-Gewinn

Null-TCESR MOS Kondensator 100pF 50V Einzelschicht-Chip für ultra-stabile HF-Gewinn

Markenname: Hoan
Modellnummer: HACC101S50V200
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: T/T,L/C,D/A,D/P
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, RoHS
Chipabmessungen:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Top-Metallisierung:
TiW + Au, 2,5 µm min
Montageart:
Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung
Betriebstemperatur:
-55°C bis +125°C
RoHS:
Konform (EU 2015/863)
Anpassung:
Kapazität 10pF-1000pF, Geometrie bis 4:1, umrandete Elektrode, erdfreie Rückseite
Hervorheben:

Null-TCESR MOS-Kondensator 100 pF

,

50 V Einlagenschipkondensator

,

Ultra-stabiler MOS-Kondensator mit HF-Gewinn

Produkt-Beschreibung

HACC101S50V200 Zero-TCESR MOS-Kondensator — 100pF 50V Einzelschicht-HF-Chip


Produktübersicht:Der HACC101S50V200 ist ein einlagiger Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Kondensator mit einer Nennkapazität von 100pF ±10% und einer Gleichspannungs-Betriebsspannung von 50V. Er ist auf einem Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einem 300nm dicken thermischen Siliziumdioxid (SiO2) Dielektrikum und einem TiW-Au-Metallisierungsschicht aufgebaut. Seine definierende Eigenschaft ist ein Zero-TCESR-Design — der Temperaturkoeffizient des Ersatzserienwiderstands ist nahe Null, sodass der ESR von -55°C bis +125°C nahezu konstant bleibt. Dies eignet sich für HF-Signalketten, die eine stabile Verstärkung über die Temperatur erfordern.



Was ist Zero-TCESR?


TCESR steht für Temperaturkoeffizient des Ersatzserienwiderstands. Ein Zero-TCESR-Kondensator ist ein Kondensator, dessen ESR sich mit der Temperatur nur sehr wenig ändert. In einem HF-Verstärker oder einem Anpassungsnetzwerk fügt der ESR einen kleinen Widerstandsverlust in Reihe mit dem Signalweg hinzu. Wenn dieser Verlust mit zunehmender Erwärmung der Platine wächst, sinkt die Verstärkung der Stufe. Ein Kondensator mit einem TCESR nahe Null hält diesen Verlust im Wesentlichen konstant, sodass die Verstärkungsstabilität über den Betriebstemperaturbereich ohne zusätzliche Kompensationsnetzwerke aufrechterhalten wird.


Schlüsselspezifikationen (T = 25°C, sofern nicht anders angegeben)


Parameter Wert Bedingung
Kapazität 100pF ±10% 1MHz, 1,0Vrms
Nenn-Gleichspannung 50V Dauerbetrieb
Dielektrische Festigkeit >125V DC 1 Minute, 25°C
Temperaturkoeffizient des ESR Zero-TCESR, <±5% Variation -55°C bis +125°C
ESR bei 1GHz <0,08 Ω Typisch
Gütefaktor bei 1MHz >2000 Typisch
Gütefaktor bei 1GHz >300 Typisch
Intrinsische Chip-ESL <0,05nH Aus S-Parametern de-embedded
TCC +35ppm/°C -55°C bis +125°C
Leckstrom <10nA 50V DC, 25°C
Dielektrikum Thermische SiO2, 300nm
Substrat Float-Zone-Si, >1000 Ω·cm
Chip-Abmessungen 0,50 × 0,50 × 0,15mm ±0,025mm
Obere Metallisierung TiW + Au, min. 2,5µm Bondfähig
Hintere Metallisierung TiW-Pt-Au, min. 1,0µm Au Die-Attach
Betriebstemperatur -55°C bis +125°C
RoHS Konform EU 2015/863


Typische Anwendungen


  • Anpassung und Verstärkungsstufen von rauscharmer Verstärker (LNA)
  • Entkopplung von HF- und Mikrowellenverstärker-Bias
  • HF-Kanäle von Phased-Array- und Beamformer-Systemen
  • Frontend von Telekommunikationsfunkgeräten
  • Frontend von Test- und Messinstrumenten
  • Filter-, Koppler- und Anpassungsnetzwerke


Null-TCESR MOS Kondensator 100pF 50V Einzelschicht-Chip für ultra-stabile HF-Gewinn