HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC101S50V200 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | T/T、L/C、D/A、D/P |
製品概要: HACC101S50V200は、公称静電容量100pF ±10%、DC動作電圧50Vの単層金属酸化膜半導体（MOS）キャパシタです。300nmの熱酸化シリコン（SiO2）誘電体とTiW-Au金属化スタックを備えたフローティングゾーンシリコン基板上に構築されています。その特徴は、Zero-TCESR設計です。等価直列抵抗の温度係数がゼロに近いため、ESRは-55℃から+125℃までほぼ一定に保たれます。これは、温度による安定したゲインを必要とするRF信号チェーンに適しています。
TCESRは、等価直列抵抗の温度係数（Temperature Coefficient of Equivalent Series Resistance）の略です。Zero-TCESRキャパシタとは、そのESRが温度によってほとんど変化しないキャパシタのことです。RFアンプや整合回路では、ESRは信号経路に直列に小さな抵抗損失を加えます。基板が加熱されるにつれてその損失が増加すると、段のゲインが低下します。TCESRがほぼゼロのキャパシタは、その損失を実質的に一定に保つため、追加の補償回路なしで動作温度範囲全体でゲイン安定性が維持されます。
| パラメータ | 値 | 条件 |
| 静電容量 | 100pF ±10% | 1MHz, 1.0Vrms |
| 定格DC電圧 | 50V | 連続 |
| 絶縁耐圧 | >125V DC | 1分間, 25℃ |
| ESRの温度係数 | Zero-TCESR, <±5%の変動 | -55℃～+125℃ |
| 1GHzでのESR | <0.08 Ω | 代表値 |
| 1MHzでのQファクタ | >2000 | 代表値 |
| 1GHzでのQファクタ | >300 | 代表値 |
| チップ固有ESL | <0.05nH | Sパラメータからデエンベデッド |
| TCC | +35ppm/℃ | -55℃～+125℃ |
| リーク電流 | <10nA | 50V DC, 25℃ |
| 誘電体 | 熱酸化SiO2, 300nm | — |
| 基板 | フローティングゾーンSi, >1000 Ω・cm | — |
| チップ寸法 | 0.50 × 0.50 × 0.15mm | ±0.025mm |
| 上面金属化 | TiW + Au, 2.5μm min | ワイヤボンディング可能 |
| 背面金属化 | TiW-Pt-Au, Au 1.0μm min | ダイアタッチ |
| 動作温度 | -55℃～+125℃ | — |
| RoHS | 準拠 | EU 2015/863 |
