Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateur MOS Zero-TCESR 100pF 50V Mono-couche à puce pour gain RF ultra-stable

Condensateur MOS Zero-TCESR 100pF 50V Mono-couche à puce pour gain RF ultra-stable

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC101S50V200
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: T/T, L/C, D/A, D/P
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Dimensions des puces:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Métallisation supérieure:
TiW + Au, 2,5 µm min
Type de montage:
Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
RoHS:
Conforme (UE 2015/863)
Personnalisation:
Capacité 10pF-1000pF, géométrie jusqu'à 4:1, électrode bordée, face arrière flottante
Mettre en évidence:

Condensateur MOS Zero-TCESR 100pF

,

Condensateur à puce mono-couche 50V

,

Condensateur MOS à gain RF ultra-stable

Description de produit

HACC101S50V200 Condensateur MOS TCESR à zéro puissant puissant puissant puissant


Résumé du produit:Le HACC101S50V200 est un condensateur à semi-conducteurs en oxyde de métal (MOS) à couche unique avec une capacité nominale de 100 pF ± 10% et une tension de fonctionnement en courant continu de 50 V.Il est construit sur un substrat de silicium à zone flottante avec un dioxyde de silicium thermique à 300 nm (SiO)2Le coefficient de température de la résistance en série équivalente est proche de zéro.donc ESR reste presque constant de -55°C à +125°CCeci convient aux chaînes de signaux RF qui nécessitent un gain stable sur la température.



Qu'est-ce que le zéro-TCESR?


TCESR signifie Coefficient de température de résistance en série équivalente. Un condensateur zéro-TCESR est celui dont l'ESR change très peu avec la température.L'ESR ajoute une petite perte de résistance en série avec le chemin du signalSi cette perte augmente à mesure que la carte se réchauffe, le gain de l'étape diminue.la stabilité du gain est donc maintenue sur toute la plage de température de fonctionnement sans réseaux de compensation supplémentaires.


Principales spécifications (T = 25°C, sauf indication contraire)


Paramètre Valeur Condition
Capacité 100 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Voltage nominal en courant continu 50 V Continuité
Résistance diélectrique > 125 V en courant continu 1 minute, 25°C
Coefficient de température de l'ESR RTCESR zéro, variation < ± 5% -55°C à +125°C
ESR à 1 GHz < 0,08 Ω Typique
Facteur Q à 1 MHz > 2000 Typique
Facteur Q à 1 GHz > 300 Typique
Puce interne ESL Le taux de dépistage Décomposé des paramètres S
Le TCC +35 ppm/°C -55°C à +125°C
Courant de fuite Pour les appareils électroniques 50 V de courant continu, à 25°C
Diélectrique SiO thermique2, 300 nm Je ne sais pas.
Substrate Zone flottante Si, > 1000 Ω·cm Je ne sais pas.
Dimensions de la puce 0.50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Métallisation supérieure TiW + Au, 2,5 μm min Des fils de fer
Métallisation à l'arrière TiW-Pt-Au, Au 1,0 μm min - Je vais vous attacher.
Température de fonctionnement -55°C à +125°C Je ne sais pas.
RoHS Conformité Les États membres doivent:


Applications typiques


  • Amplificateur à faible bruit (LNA) étapes de correspondance et de gain
  • Découpling du biais des amplificateurs RF et micro-ondes
  • Canaux RF à matrice de phases et à forme de faisceau
  • Appareils de télécommunication
  • Les terminaisons avant des instruments d'essai et de mesure
  • Filtres, raccords et réseaux de correspondance


Condensateur MOS Zero-TCESR 100pF 50V Mono-couche à puce pour gain RF ultra-stable