Capacitore MOS Zero-TCESR 100pF 50V chip a singolo strato per guadagno RF ultra-stabile

HACC101S50V200 Condensatore MOS Zero-TCESR — Chip RF Monostrato 100pF 50V

Panoramica del prodotto: L'HACC101S50V200 è un condensatore monostrato metallo-ossido-semiconduttore (MOS) con una capacità nominale di 100pF ±10% e una tensione di lavoro DC di 50V. È costruito su un substrato di silicio float-zone con un dielettrico di biossido di silicio termico (SiO₂) da 300nm e uno stack di metallizzazione TiW-Au. La sua proprietà distintiva è un design Zero-TCESR — il coefficiente di temperatura della resistenza serie equivalente è vicino allo zero, quindi l'ESR rimane quasi costante da -55°C a +125°C. Questo è adatto per catene di segnale RF che richiedono un guadagno stabile in funzione della temperatura.

Cos'è Zero-TCESR?

TCESR sta per Coefficiente di Temperatura della Resistenza Serie Equivalente. Un condensatore Zero-TCESR è uno la cui ESR cambia molto poco con la temperatura. In un amplificatore RF o in una rete di adattamento, l'ESR aggiunge una piccola perdita resistiva in serie al percorso del segnale. Se tale perdita aumenta man mano che la scheda si scalda, il guadagno dello stadio diminuisce. Un condensatore con TCESR quasi zero mantiene tale perdita essenzialmente costante, in modo che la stabilità del guadagno sia mantenuta nell'intervallo di temperatura operativa senza reti di compensazione aggiuntive.

Specifiche chiave (T = 25°C se non diversamente indicato)

Applicazioni tipiche

• Stadi di adattamento e guadagno di amplificatori a basso rumore (LNA)
• Disaccoppiamento di bias di amplificatori RF e a microonde
• Canali RF di phased-array e beamformer
• Front-end radio per telecomunicazioni
• Front-end di strumentazione di test e misurazione
• Reti di filtri, accoppiatori e adattamento