rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Kondensator MOS
Created with Pixso.

Zero-TCESR MOS Kondensator 100pF 50V Single Layer Chip Untuk Ultra-stabil RF Gain

Zero-TCESR MOS Kondensator 100pF 50V Single Layer Chip Untuk Ultra-stabil RF Gain

Nama Merek: Hoan
Nomor Model: HACC101S50V200
MOQ: 10 buah
Ketentuan Pembayaran: T/T,L/C,D/A,D/P
Informasi Rinci
Tempat asal:
Shaanxi, Tiongkok
Sertifikasi:
ISO 9001:2015, RoHS
Dimensi Keping:
0,50x0,50x0,15mm
Metalisasi Teratas:
TiW + Au, 2,5µm mnt
Tipe Pemasangan:
Kawat Berikat / Die Attach Eutectic
Suhu Operasional:
-55°C hingga +125°C
RoHS:
Sesuai (UE 2015/863)
Kustomisasi:
Kapasitansi 10pF-1000pF, geometri hingga 4:1, elektroda berbatas, bagian belakang mengambang
Menyoroti:

Kondensator MOS Zero-TCESR 100pF

,

Kapasitor chip lapisan tunggal 50V

,

Kondensator MOS RF Gain Ultra-stabil

Deskripsi Produk

HACC101S50V200 Kapasitor MOS Zero-TCESR — Chip RF Lapisan Tunggal 100pF 50V


Ikhtisar Produk: HACC101S50V200 adalah kapasitor metal-oksida-semikonduktor (MOS) lapisan tunggal dengan kapasitansi nominal 100pF ±10% dan tegangan kerja DC 50V. Kapasitor ini dibangun di atas substrat silikon float-zone dengan dielektrik silikon dioksida termal (SiO2) setebal 300nm dan tumpukan metalisasi TiW-Au. Properti utamanya adalah desain Zero-TCESR — koefisien suhu resistansi seri ekuivalen mendekati nol, sehingga ESR tetap hampir konstan dari -55°C hingga +125°C. Hal ini cocok untuk rantai sinyal RF yang membutuhkan penguatan stabil terhadap suhu.



Apa Itu Zero-TCESR?


TCESR adalah singkatan dari Temperature Coefficient of Equivalent Series Resistance (Koefisien Suhu Resistansi Seri Ekuivalen). Kapasitor Zero-TCESR adalah kapasitor yang ESR-nya sangat sedikit berubah terhadap suhu. Dalam penguat RF atau jaringan pencocokan, ESR menambahkan kerugian resistif kecil secara seri dengan jalur sinyal. Jika kerugian tersebut bertambah saat papan memanas, penguatan tahap akan menurun. Kapasitor dengan TCESR mendekati nol menjaga kerugian tersebut tetap konstan, sehingga stabilitas penguatan terjaga di seluruh rentang suhu operasi tanpa jaringan kompensasi tambahan.


Spesifikasi Utama (T = 25°C kecuali dicatat)


Parameter Nilai Kondisi
Kapasitansi 100pF ±10% 1MHz, 1.0Vrms
Tegangan DC Terukur 50V Kontinu
Kekuatan dielektrik >125V DC 1 menit, 25°C
Koefisien suhu ESR Zero-TCESR, <±5% variasi -55°C hingga +125°C
ESR pada 1GHz <0.08 Ω Tipikal
Faktor Q pada 1MHz >2000 Tipikal
Faktor Q pada 1GHz >300 Tipikal
ESL chip intrinsik <0.05nH Dilepaskan dari parameter-S
TCC +35ppm/°C -55°C hingga +125°C
Arus bocor <10nA 50V DC, 25°C
Dielektrik Termal SiO2, 300nm
Substrat Float-zone Si, >1000 Ω·cm
Dimensi chip 0.50 × 0.50 × 0.15mm ±0.025mm
Metalilasi atas TiW + Au, min 2.5µm Dapat diikat kawat
Metalilasi belakang TiW-Pt-Au, min 1.0µm Au Pemasangan die
Suhu operasi -55°C hingga +125°C
RoHS Sesuai EU 2015/863


Aplikasi Khas


  • Tahap pencocokan dan penguatan penguat derau rendah (LNA)
  • Dekopling bias penguat RF dan gelombang mikro
  • Saluran RF susunan fasa dan pembentuk berkas
  • Frontend radio telekomunikasi
  • Frontend instrumentasi uji dan pengukuran
  • Jaringan filter, coupler, dan pencocokan


Zero-TCESR MOS Kondensator 100pF 50V Single Layer Chip Untuk Ultra-stabil RF Gain