details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Zero-TCESR MOS Condensator 100pF 50V Enkellaags Chip voor Ultra-Stabiele RF-versterking

Zero-TCESR MOS Condensator 100pF 50V Enkellaags Chip voor Ultra-Stabiele RF-versterking

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC101S50V200
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: T/T,L/C,D/A,D/P
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Chipafmetingen:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Topmetallisatie:
TiW + Au, 2,5 µm min
Montagetype:
Met draad te verbinden/eutectische matrijsbevestiging
Bedrijfstemperatuur:
-55°C tot +125°C
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Maatwerk:
Capaciteit 10pF-1000pF, geometrie tot 4:1, omrande elektrode, zwevende achterkant
Markeren:

Zero-TCESR MOS Condensator 100pF

,

50V Enkellaags Chip Condensator

,

Ultra-Stabiele RF-versterking MOS Condensator

Productomschrijving

HACC101S50V200 Zero-TCESR MOS Condensator — 100pF 50V Enkellaags RF Chip


Productoverzicht: De HACC101S50V200 is een enkellaagse metaal-oxide-halfgeleider (MOS) condensator met een nominale capaciteit van 100pF ±10% en een DC-werkspanning van 50V. Hij is gebouwd op een float-zone silicium substraat met een 300nm thermische siliciumdioxide (SiO2) diëlektricum en een TiW-Au metallisatie stapel. Zijn bepalende eigenschap is een Zero-TCESR ontwerp — de temperatuurcoëfficiënt van de equivalente serieweerstand is bijna nul, dus de ESR blijft bijna constant van -55°C tot +125°C. Dit is geschikt voor RF-signaalketens die stabiele versterking over temperatuur vereisen.



Wat is Zero-TCESR?


TCESR staat voor Temperatuurcoëfficiënt van Equivalente Serieweerstand. Een Zero-TCESR condensator is er een waarvan de ESR weinig verandert met de temperatuur. In een RF-versterker of afstemnetwerk voegt ESR een klein resistief verlies toe in serie met het signaalpad. Als dat verlies groeit naarmate het bord opwarmt, daalt de versterking van het stadium. Een condensator met een bijna nul TCESR houdt dat verlies in wezen constant, zodat de versterkingsstabiliteit over het bedrijfstemperatuurbereik behouden blijft zonder extra compensatienetwerken.


Belangrijkste specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)


Parameter Waarde Conditie
Capaciteit 100pF ±10% 1MHz, 1.0Vrms
Nominale DC-spanning 50V Continu
Diëlektrische sterkte >125V DC 1 minuut, 25°C
Temperatuurcoëfficiënt van ESR Zero-TCESR, <±5% variatie -55°C tot +125°C
ESR bij 1GHz <0.08 Ω Typisch
Q-factor bij 1MHz >2000 Typisch
Q-factor bij 1GHz >300 Typisch
Intrinsieke chip ESL <0.05nH De-embedded uit S-parameters
TCC +35ppm/°C -55°C tot +125°C
Lekkage stroom <10nA 50V DC, 25°C
Diëlektricum Thermische SiO2, 300nm
Substraat Float-zone Si, >1000 Ω·cm
Afmetingen chip 0.50 × 0.50 × 0.15mm ±0.025mm
Bovenste metallisatie TiW + Au, 2.5µm min Draadlasbaar
Achterkant metallisatie TiW-Pt-Au, Au 1.0µm min Chipbevestiging
Bedrijfstemperatuur -55°C tot +125°C
RoHS Conform EU 2015/863


Typische toepassingen


  • Low-noise amplifier (LNA) matching en versterkingstrappen
  • RF en microgolf versterker bias ontkoppeling
  • Phased-array en beamformer RF-kanalen
  • Telecom radio front-ends
  • Test- en meetinstrumentatie front-ends
  • Filter-, koppelaar- en afstemnetwerken


Zero-TCESR MOS Condensator 100pF 50V Enkellaags Chip voor Ultra-Stabiele RF-versterking