Tiefe Graben MOS-Kondensator 1000pF 50V Hochdichte Einschicht-Chip für stabilen DC-Bias-Betrieb

HACC102T50V601 Tiefgräben-MOS-Kondensator ¥ 1000 pF 50 V Hochdichte-Einschicht-Chip mit Bias-stabilem Dielektrikum

Der HACC102T50V601 ist ein 1000 pF ± 10% einlagiger MOS-Kondensator mit einer Leistung von 50 V Gleichstrom,auf einer 3D-Tiefgräben-Kern-Architektur gebaut, in der tiefe Gräben, die in das Siliziumsubstrat eingraviert sind, die effektive Elektrodenfläche innerhalb derselben Druckmaschine multiplizierenDer Kondensator liefert 1000 pF in einer Form von 0,50 mm × 0,50 mm; als Referenz verwenden die planaren 1000 pF MOS-Kondensatoren dieser Serie eine Form von 0,75 mm.Das Graben-Design bietet also ungefähr doppelt so viel Kapazität pro Flächen-Einheit für raumbeschränkte Hybridmodule.Ein MOS-Kondensator ist ein einlagiger Kondensator, der aus einer Metalloxid-Halbleitungsstruktur (thermisches Siliziumdioxid auf einem leitfähigen Siliziumsubstrat) besteht und bei niedriger ESL bewertet wird.Stabile Kapazität und hohe Isolationsfestigkeit.

3D-Deep-Trench-Architektur für ultra-hohe Volumetrische Effizienz

• mit einer Breite von nicht mehr als 50 mmErhöhung der effektiven Plattenfläche pro Einheit Fußabdruck und Erreichung von 1000 pF bei 50 V in einem Umriss von 0,50 × 0,50 mm mit einem Profil von 0,18 mm;
• Größtenteils 2x Flächenwirksamkeitim Vergleich zu planaren 1000 pF MOS-Kondensatoren dieser Serie, wodurch der Trägerbereich für zusätzliche Matrize in hybriden Mikrokreisen freigesetzt wird;
• Die vollständige Metallisierung der Unterseite bewahrt trotz der 3D-Struktur den maximalen thermischen Kontakt und den Stromweg mit geringer Induktivität.
• Für kundenspezifische Abdrücke sind maßgeschneiderte Graben-Layouts, Formgrößen und Seitenverhältnisse (bis zu 4:1) verfügbar.

Elektrische Eigenschaften (typisch, 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

Kompakte Gleichstrom-Bias-Entkopplung und -Umgehung in hybriden Mikrokreisen und Multi-Chip-Modulen; HF-Leistungsverstärker-Bias-Netzwerke; raumbeschränkte Mikrowellenbaugruppen;Filter- und Zeitungsnetze, für die eine biasstabile Kapazität erforderlich ist­ Energiespeicher mit hoher Dichte in Pulskreisen.