Diepe Trench MOS Condensator 1000pF 50V Hoge Dichtheid Enkellaags Chip Voor Stabiele DC Bias Werking

HACC102T50V601 Diepe-Sleuf MOS Condensator — 1000 pF 50 V Hoge-Dichtheid Enkellaags Chip met Bias-Stabiele Diëlektricum

De HACC102T50V601 is een 1000 pF ±10% enkellaagse MOS-condensator met een nominale spanning van 50 V DC, gebouwd op een 3D diepe-sleuf siliciumarchitectuur waarin diepe sleuven in het siliciumsubstraat de effectieve elektrodeoppervlakte vermenigvuldigen binnen dezelfde chipafmeting. De condensator levert 1000 pF in een chip van 0,50 mm × 0,50 mm; ter referentie, planaire 1000 pF MOS-condensatoren in deze serie gebruiken chips van de 0,75 mm-klasse, dus het sleufontwerp biedt ongeveer twee keer de capaciteit per oppervlakte-eenheid voor ruimtebeperkte hybride modules. Een MOS-condensator is een enkellaagse condensator gevormd door een metaal-oxide-halfgeleiderstructuur (thermisch siliciumdioxide op een geleidend siliciumsubstraat), gewaardeerd om lage ESL, stabiele capaciteit en hoge isolatieweerstand.

3D Diepe-Sleuf Architectuur voor Ultra-Hoge Volumetrische Efficiëntie

• Geëtste sleuf elektroden verhoogt effectieve plaatgebied per eenheid voetafdruk, wat 1000 pF bij 50 V levert in een 0,50 × 0,50 mm omtrek met een profiel van 0,18 mm;
• Ongeveer 2× gebiedsefficiëntie ten opzichte van planaire 1000 pF MOS-condensatoren van deze serie, waardoor ruimte vrijkomt voor extra chips in hybride microcircuits;
• Volledige onderaan geplaatste metallisatie behoudt maximale thermische contact en laag-inductie stroompad ondanks de 3D-structuur;
• Aangepaste sleuflay-outs, chipafmetingen en aspectverhoudingen (tot 4:1) zijn beschikbaar voor klantspecifieke voetafdrukken.

Elektrische Kenmerken (typisch, 25°C tenzij anders vermeld)

Typische Toepassingen

Compacte DC-bias ontkoppeling en bypass in hybride microcircuits en multi-chip modules; RF-vermogensversterker biasnetwerken; ruimtebeperkte microgolfassemblages; filter- en timingnetwerken die bias-stabiele capaciteit vereisen; hoge-dichtheid energieopslag in gepulste circuits.