Condensateur MOS à tranchée profonde 1000pF 50V haute densité monocouche à puce pour fonctionnement stable en polarisation continue

Condensateur MOS à tranchées profondes HACC102T50V601 — 1000 pF 50 V Monocouche haute densité avec diélectrique stable sous polarisation

Le HACC102T50V601 est un condensateur MOS monocouche de 1000 pF ±10% nominal à 50 V CC, construit sur une architecture silicium 3D à tranchées profondes dans laquelle des tranchées gravées dans le substrat silicium multiplient la surface effective de l'électrode dans le même encombrement de puce. Le condensateur délivre 1000 pF dans une puce de 0,50 mm × 0,50 mm ; à titre de référence, les condensateurs MOS monocouches de 1000 pF de cette série utilisent des puces de classe 0,75 mm, de sorte que la conception à tranchées offre environ deux fois la capacité par unité de surface pour les modules hybrides contraints par l'espace. Un condensateur MOS est un condensateur monocouche formé par une structure métal-oxyde-semiconducteur (dioxyde de silicium thermique sur un substrat silicium conducteur), apprécié pour sa faible ESL, sa capacité stable et sa haute résistance d'isolement.

Architecture 3D à tranchées profondes pour une efficacité volumétrique ultra-élevée

• Électrodes à tranchées gravéesaugmentent la surface effective des plaques par unité d'encombrement, atteignant 1000 pF à 50 V dans un contour de 0,50 × 0,50 mm avec un profil de 0,18 mm ;
• Environ 2× d'efficacité surfaciquepar rapport aux condensateurs MOS monocouches de 1000 pF de cette série, libérant de l'espace pour des puces supplémentaires dans les microcircuits hybrides ;
• La métallisation complète du côté inférieur préserve un contact thermique maximal et un chemin de courant à faible inductance malgré la structure 3D ;
• Des agencements de tranchées personnalisés, des tailles de puces et des rapports d'aspect (jusqu'à 4:1) sont disponibles pour des empreintes spécifiques au client.

Caractéristiques électriques (typiques, 25°C sauf indication contraire)

Applications typiques

Découplage et dérivation CC compacts dans les microcircuits hybrides et les modules multi-puces ; réseaux de polarisation d'amplificateurs de puissance RF ; assemblages micro-ondes contraints par l'espace ; réseaux de filtres et de temporisation nécessitant une capacité stable sous polarisation ; stockage d'énergie haute densité dans les circuits pulsés.