Tụ điện một lớp điện môi K cao 1000pF 50V DC Tụ chặn Bảo vệ Epoxy

HACC102S30V500 Tụ Gốm Đơn Lớp Viền Hai Mặt SLC 1000pF 50V (0.01-6GHz) Lớp Điện Môi Cực Cao

Tóm tắt Kỹ thuật Tần số Cao

HACC102S30V500 là Tụ Gốm Đơn Lớp (SLC) Viền Hai Mặt đối xứng, mật độ điện dung cực cao. Mẫu này được thiết kế đặc biệt cho lọc bypass RF tần số thấp đến trung bình, tách mạng phân phối điện (PDN) và triệt nhiễu băng rộng lên đến 6.0 GHz (bao gồm các băng tần UHF, L, S và C). Cung cấp điện dung lớn 1000 pF (1 nF) ± 20%, diện tích nhỏ gọn 0.76 mm × 0.76 mm và định mức điện áp 50 V, tụ điện này rất phù hợp cho các cụm phụ radar an ninh quốc gia mật độ cao, bộ thu phát sợi quang và mô-đun bộ khuếch đại công suất vi sóng (PA).

Điểm khác biệt của HACC102S30V500 là kiến trúc viền hai mặt đối xứng kết hợp với thân gốm có hằng số điện môi cao (high-K). Cả điện cực trên và dưới đều có viền gốm sạch. Cấu trúc đối xứng này loại bỏ yêu cầu định hướng trên/dưới trong quá trình gắp và đặt, giúp tăng đáng kể thông lượng lắp ráp tự động và loại bỏ lỗi lật thủ công.

Ưu điểm Hiệu suất Chính
Lực Liên kết:Viền Hai Mặt Đối Xứng (DSB):Loại bỏ các vấn đề định hướng lắp trên/dưới, cho phép gắn chip tự động siêu nhanh và gắp chip.
Lực Liên kết:Bảo vệ Chống Epoxy Leo Hai Mặt:Viền gốm trên cả điện cực trên và dưới hoạt động như một rào cản vật lý để ngăn epoxy bạc dẫn điện leo lên thành bên, ngăn ngừa đoản mạch.
Lực Liên kết:Hệ thống Kim loại Hóa Màng Mỏng Tiên Tiến:Sử dụng lớp kim loại hóa màng mỏng TaN/TiW/Ni/Au cực kỳ bền chắc trên cả hai mặt, mang lại độ ổn định nhiệt vượt trội, bảo vệ chống di chuyển và chống ăn mòn hàn.
Lực Liên kết:Mật độ Điện dung Cực cao (1000 pF / 1 nF):Đóng gói trong diện tích nhỏ gọn 30 mil × 30 mil (0.76 mm × 0.76 mm), nó cung cấp một kho dự trữ lớn để tách mà không làm mất không gian vật lý.
Lực Liên kết:Độ bền cắt & Tản nhiệt Cao:Đế lắp 30 mil lớn hơn cung cấp diện tích tiếp xúc liên kết lớn hơn, mang lại độ bền cắt cơ học cực cao và tản nhiệt được cải thiện.

Kích thước Tổng thể

Bảng dữ liệu Thông số Toàn diện

Kỹ thuật Lớp Kim loại hóa Màng mỏng Đối xứng

Để đảm bảo độ tin cậy lâu dài trong điều kiện chu kỳ nhiệt cấp an ninh quốc gia và độ ẩm cao, HACC102S30V500 sử dụng lớp kim loại hóa màng mỏng đối xứng, phún xạ chân không trên cả mặt trên và mặt dưới:

Ma trận Kỹ thuật So sánh (HACC102S30V500 so với các Thiết kế SLC Khác)

Ma trận này so sánh hiệu suất lắp ráp và điện của các thiết kế tụ gốm đơn lớp khác nhau:

Để tối đa hóa hiệu quả ghép nối và lọc bypass tần số cao đồng thời ngăn ngừa hư hỏng cơ học, các kỹ sư lắp ráp phải tuân thủ các hướng dẫn sau:
Quy trình Chuẩn cho Epoxy Bạc Dẫn điện Epotek H20E

Lực Liên kết:Sử dụng epoxy bạc dẫn điện có độ tin cậy cao, ít phát thải khí (ví dụ: Epotek H20E).
Lực Liên kết:Áp dụng một chấm epoxy siêu nhỏ. Nhờ viền gốm dưới trên HACC102S30V500, epoxy được chứa vật lý trong miếng đệm liên kết, ngăn ngừa đoản mạch.
Lực Liên kết:Nung ở 120°C trong 30 phút (hoặc thay thế là 150°C trong 15 phút) với quá trình làm nguội chậm để loại bỏ sốc nhiệt trên đế gốm.Giới hạn Liên kết Dây vàng & Ribbon

Lực Liên kết:Tương thích với liên kết dây vàng siêu âm (ball-stitch hoặc wedge-wedge) và liên kết ribbon vàng.
Lực Liên kết:Đầu liên kết hoặc đầu mao dẫn phải tiếp xúc với miếng đệm vàng trên cách mép viền điện cực ít nhất 25 μm. Liên kết quá gần viền gốm sẽ gây ra lực cắt cục bộ, có nguy cơ làm bong vàng hoặc nứt vi mô trong lớp điện môi.
Lực Liên kết:Kiểm soát áp suất mao dẫn để ngăn ngừa nứt vi mô lớp gốm mỏng 0.15 mm.