HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Tên thương hiệu: | Hoan |
| Số mô hình: | HACC220S15V500 |
| MOQ: | 10 |
| Điều khoản thanh toán: | L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union |
Tóm tắt Kỹ thuật Tần số Cao
HACC220S15V500 là Tụ điện Gốm Lớp Đơn Viền Một Mặt (SLC) siêu nhỏ, tần số cao. Mẫu này được thiết kế đặc biệt cho việc chặn DC băng thông rộng, ghép nối RF và điều chỉnh vi sóng trong phổ sóng milimet lên đến 40,0 GHz (bao gồm các vi mạch lai băng S, C, X, Ku, K và Ka). Cung cấp điện dung siêu thấp 22 pF ± 10% và điện áp làm việc liên tục 50 V, nó được đóng gói trong kích thước cực kỳ nhỏ gọn 15 mil × 15 mil (0,38 mm × 0,38 mm) với chiều cao cấu hình siêu thấp 0,15 mm.
Được thiết kế với cấu trúc viền một mặt, điện cực vàng phía trên có một lớp gốm cách điện sạch sẽ. Viền này ngăn chặn epoxy dẫn điện trào lên hoặc hàn chảy ra gây đoản mạch thiết bị. Điện cực phía dưới có cấu trúc TiW-Pt-Au hoàn toàn kim loại hóa, chống ăn mòn hàn, làm cho nó tương thích cao với cả epoxy bạc và hàn eutectic nhiệt độ cao.
Ưu điểm Hiệu suất Chính
Ghép nối Sóng Milimet Băng thông rộng (0,8 - 40,0 GHz): Do điện dung siêu thấp (22 pF) và kích thước hiển vi, nó thể hiện tổn hao chèn cực thấp và tần số tự cộng hưởng (SRF) cao, hoạt động như một phần tử truyền tải gần như hoàn hảo.
Ngăn chặn Viền Cách điện: Viền gốm một mặt hoạt động như một rào cản vật lý để ngăn epoxy bạc dẫn điện trào lên điện cực phía trên, đảm bảo gắn chip đáng tin cậy, không bị đoản mạch.
Kim loại hóa Bất đối xứng (Rào cản Hàn Pt): Tiếp điểm phía trên có TiW-Au (Tối thiểu 2,5 µm) để hàn nhiệt siêu âm dây vàng. Phía dưới có TiW-Pt-Au (Tối thiểu 2,5 µm) trong đó lớp Platinum (Pt) hoạt động như một rào cản cao cấp chống lại việc ăn mòn/hòa tan vàng.
Chiều cao Cấu hình Siêu thấp: Chỉ 0,15 mm, nó nằm phẳng hoàn hảo bên trong các khoang RF hiển vi, giảm thiểu điện cảm ký sinh.
Kích thước Tổng thể
Bảng Dữ liệu Thông số Toàn diện
| Thông số kỹ thuật Danh mục | Tên Thông số Kỹ thuật | Giá trị Đảm bảo | Điều kiện Kiểm tra / Đo lường |
| Thông số Điện | Điện dung Danh định | 22 | pF (+10% Dung sai @ 1kHz,1Vrms, 25°C) |
| Điện áp Làm việc Định mức (DC) | 50 | V (Định mức liên tục tối đa) | |
| Hệ số tiêu tán (DF) | ≤1,5% | Được kiểm tra ở 1 kHz, 1,0 Vrms, 25°C | |
| Điện trở cách điện (IR) | ≥104MΩ | Được kiểm tra ở điện áp định mức DC, 25°C | |
| Dải tần Khuyến nghị | 0,8 -40,0 | GHz (Ghép nối Băng thông rộng và Chặn DC) | |
| Hình học Vật lý | Kích thước Bao ngoài | 0,38 x 0,38 x 0,15 | mm (Dài x Rộng x Cao / 15 x 15 x 6 mil) |
| Kiến trúc Thiết kế | Viền Một Mặt | Viền gốm cách điện lộ ra trên bề mặt trên | |
| Cấu trúc Kim loại hóa | Kim loại hóa Bề mặt trên | TiW-Au | Tối ưu hóa hàn vàng (≥2,5 um độ dày) |
| Kim loại hóa Bề mặt dưới | TiW-Pt-Au | Rào cản Platinum chống ăn mòn ( ≥2,5 um độ dày) | |
| Quy trình Lắp ráp | Độ bám dính Gắn kết | Epoxy dẫn điện/Hàn | Thích hợp cho epoxy bạc H20E / hàn eutectic AuSn |
| Kết nối Liên kết | Dây vàng / Dải băng | Tương thích với hàn nhiệt siêu âm dây vàng | |
| Độ tin cậy & Chất lượng | Nhiệt độ Hoạt động | -55 đến +125 | ℃ (Cấp Công nghiệp & An ninh Quốc gia) |
| Nhiệt độ Lưu trữ & Độ ẩm Tương đối | 20-25°C, 40%-60% RH | Môi trường phòng sạch | |
| Thời hạn sử dụng Đảm bảo | 1 | Năm (Trong điều kiện lưu trữ tối ưu) |
Kỹ thuật Cấu trúc Kim loại hóa Màng mỏng
Để đảm bảo hàn dây đáng tin cậy ở mặt trên và ngăn chặn ăn mòn hàn ở mặt dưới, HACC220S15V500 sử dụng hệ thống kim loại hóa màng mỏng có độ tin cậy cao:
| Mặt Kim loại hóa | Lớp Kim loại | Vật liệu Phun | Độ dày Lớp Tiêu chuẩn | Chức năng Kỹ thuật & Kỹ thuật Kim loại hóaGiá trị |
| Tiếp điểm trên | TiW (Titan-Vonfram) | TiW (Titan-Vonfram) | Liên kết nền đối xứng với gốm phía dưới. | Cung cấp một liên kết hóa học ổn định, chống oxy hóa cao với đế gốm; ngăn ngừa bong tróc.Lớp hoàn thiện Hàn |
| ≥2,5 µm | Lớp hoàn thiện phía dưới có thể hàn và tương thích với epoxy. | Bề mặt không oxy hóa được tối ưu hóa cho hàn nhiệt siêu âm dây vàng và hàn nêm. | Tiếp điểm dưới | |
| Độ bám dính & Rào cản | TiW (Titan-Vonfram) | Lớp nền Phun | Liên kết nền đối xứng với gốm phía dưới. | Lớp Rào cản |
| Pt (Platinum) | Rào cản Phun | Rào cản mật độ cao ngăn vàng khuếch tán hoặc hòa tan vào hàn/epoxy dưới ứng suất nhiệt | Lớp hoàn thiện HànAu (Vàng) | |
| ≥2,5 µm | Lớp hoàn thiện phía dưới có thể hàn và tương thích với epoxy. | Hướng dẫn Lắp ráp & Kỹ thuật S-Parameter và Lắp ráp Dưới milimet | Để tối đa hóa hiệu quả ghép nối và bỏ qua tần số cao đồng thời ngăn ngừa hư hỏng cơ học, các kỹ sư lắp ráp phải tuân thủ các hướng dẫn sau: |
Quy trình Chuẩn hóa Epoxy Bạc Dẫn điện Epotek H20E
Thông số Chất kết dính: Sử dụng epoxy bạc dẫn điện có độ tin cậy cao, ít phát thải khí (ví dụ: Epotek H20E).
Hướng dẫn Phân phối: Phân phối một chấm epoxy hiển vi. Nhờ viền gốm phía trên của HACC220S15V500, epoxy bị ngăn chặn vật lý không trào lên tiếp điểm phía trên.
Hồ sơ Nung Nhiệt: Nung ở 120°C trong 30 phút (hoặc thay thế là 150°C trong 15 phút) với quá trình làm nguội chậm để loại bỏ sốc nhiệt trên đế gốm.
Giới hạn Hàn Dây Vàng & Dải băng
Phương pháp Hàn: Tương thích với hàn nhiệt siêu âm dây vàng (ball-stitch hoặc wedge-wedge) và hàn dải băng vàng.
Khoảng cách Hàn An toàn: Đầu hàn hoặc đầu mao dẫn phải tiếp xúc với miếng đệm vàng phía trên cách mép viền điện cực ít nhất 25 µm. Hàn quá gần viền gốm sẽ gây ra lực cắt cục bộ, có nguy cơ làm bong tróc vàng hoặc nứt vi mô trong chất điện môi.
Lực Hàn: Kiểm soát áp suất mao dẫn để tránh làm nứt vỡ tấm gốm mỏng 0,15 mm.
Câu hỏi thường gặp
Q1: Lợi ích của lớp kim loại hóa đáy TiW-Pt-Au trên HACC220S15V500 là gì?
A:
Trong quá trình hàn dây vàng hoặc hàn nhiệt độ cao, các điện cực mạ vàng tiêu chuẩn có thể bị "ăn mòn vàng", nơi vàng hòa tan hoặc di chuyển vào môi trường gắn kết, làm suy yếu mối hàn. Mặt dưới của HACC220S15V500 có một lớp rào cản Platinum (Pt) được phun giữa lớp nền TiW và lớp hoàn thiện Au. Platinum hoạt động như một rào cản khuếch tán hiệu quả cao, không hòa tan trong hàn, đảm bảo độ bám dính cơ học tuyệt đối và kết nối trở kháng thấp có độ tin cậy cao.
Q3: Tại sao mẫu này sử dụng thiết kế viền một mặt thay vì thiết kế viền hai mặt? A:
Trong phổ sóng milimet (ví dụ: băng K, băng Ka), điện cảm và điện trở ký sinh phải được giảm thiểu. Tụ điện đa lớp (MLCC) có điện cảm ký sinh (ESL) tương đối cao do cấu trúc đa điện cực, dẫn đến tự cộng hưởng ở tần số thấp hơn. HACC220S15V500 là tụ điện một lớp với đường dẫn gần như đồng trục siêu ngắn, mang lại ESL và ESR cực thấp. Với dung lượng nhỏ 22 pF và kích thước hiển vi 15 mil, tần số tự cộng hưởng của nó cực kỳ cao, cho phép nó hoạt động như một phần tử truyền tải gần như lý tưởng lên đến 40 GHz.
Q3: Tại sao mẫu này sử dụng thiết kế viền một mặt thay vì thiết kế viền hai mặt?
A:
Thiết kế viền một mặt được tối ưu hóa cho diện tích tiếp xúc đất tối đa. Bằng cách giữ cho điện cực phía dưới được kim loại hóa hoàn toàn (không viền), tụ điện đạt được diện tích tiếp xúc gắn kết lớn hơn trên đế gắn. Điều này tối đa hóa tiếp xúc đất điện, mang lại trở kháng RF thấp nhất có thể và truyền nhiệt tuyệt vời, trong khi điện cực có viền phía trên vẫn cung cấp khả năng bảo vệ 100% chống đoản mạch.
