HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC102S30V500 |
| MOQ: | 10 |
| Termini di pagamento: | L/C,D/A,T/T,D/P,Western Union |
HACC102S30V500 SLC a doppio bordo a doppio lato 1000pF 50V (0,01-6GHz) Dielettrico ad alto K
Riassunto tecnico dell'alta frequenza
L'HACC102S30V500 è un condensatore in ceramica a doppio bordo a singolo strato (SLC) simmetrico ad altissima densità di capacità.Questo modello è progettato specificamente per il filtraggio di bypass RF a bassa e media frequenza, disassociazione della rete di distribuzione di energia (PDN) e soppressione del rumore a banda larga fino a 6,0 GHz (coperti dalle bande UHF, L, S e C).un compatto 0.76 mm × 0,76 mm di impronta, e una tensione nominale di 50 V, questo condensatore è altamente adatto per sottoinsiemi di radar di sicurezza nazionale ad alta densità, trasmettitori a fibra ottica,con una lunghezza massima di 20 mm o più.
Ciò che distingue l'HACC102S30V500 è la sua architettura simmetrica a doppio lato, combinata con un corpo in ceramica ad alta costante dielettrica (alta K).Entrambi gli elettrodi superiore e inferiore presentano un margine di bordo in ceramica pulitaQuesta struttura simmetrica elimina i requisiti di orientamento verso l'alto/basso durante il pick-and-place, il che aumenta significativamente il throughput automatizzato dell'assemblaggio ed elimina gli errori di ribaltamento manuale.
Principali vantaggi di prestazione
L'indicatore di velocità deve essere conforme alle prescrizioni di cui all'allegato 3 del presente regolamento.Elimina i problemi di orientamento del montaggio da alto verso basso, consentendo un attacco automatico ultra veloce e la raccolta.
Protezione da arrampicata con epossidica a doppio lato:I margini di bordo ceramici su entrambi gli elettrodi superiore e inferiore agiscono come una diga fisica per impedire all'epossidio d'argento conduttivo di scalare la parete laterale, impedendo cortocircuiti.
Sistema avanzato di metallizzazione a film sottile:Utilizza una pila di film sottile TaN/TiW/Ni/Au altamente robusta su entrambe le facce, offrendo eccezionale stabilità termica, protezione anti-migrazione e resistenza alla lisciviazione della saldatura.
Densità di capacità ultra elevata (1000 pF / 1 nF):Confezionato in un'impronta compatta di 30 mil × 30 mil (0,76 mm × 0,76 mm), fornisce un enorme serbatoio per lo scollegamento senza sacrificare lo spazio fisico.
Alta resistenza al taglio e dissipazione termica:La base di montaggio più grande di 30 millimetri fornisce un'area di contatto di attacco più ampia, con una resistenza meccanica eccezionalmente elevata e una maggiore dissipazione del calore.
Dimensioni generali
foglio di dati dei parametri completo
| Categoria delle specifiche | Nome del parametro tecnico | Valori garantiti | Condizioni di prova/misura |
| Specificità elettriche | Capacità nominale | 1000/1 | pF /nF (+20% Tolleranza @ 1kHz,1Vrms, 25°C) |
| Tensione di funzionamento nominale (DC) | 50 | V (capacità massima continua) | |
| Fattore di dissipazione (DF) | ≤ 2,5% | Testato a 1 kHz, 1,0 Vrms, 25°C | |
| Resistenza all'isolamento (IR) | ≥ 104MΩ | Provato a tensione nominale DC, 25°C | |
| Banda di frequenza raccomandata | 0.01-6.0 | GHz (accoppiamento a banda larga e filtraggio bypass) | |
| Geometria fisica | Dimensioni di contorno | 00,76 x 0,76 x 0.15 | mm (lunghezza x larghezza x altezza/ 30 x 30 x 6 mil) |
| Architettura di progettazione | Con bordure a doppio lato | Margini di ceramica nuda uguali su entrambe le facce | |
| Stack di metallizzazione | Metallurgia superiore e inferiore | TaN/TiW/Ni/Au | Staglio simmetrico di film sottile su entrambe le superfici |
| Spessore dell'oro esterno (Au) | ≥ 25 | um (spessore minimo, filo-legame ottimizzato) | |
| Processi di assemblaggio | Adesione del monte | Epossidio conduttivo/soldatura | Adatto per l'epoxido d'argento H20E / AuSn eutectico |
| Interconnessione connessione | Filtro d'oro/legame a nastro | Collegamento termossonico di filo d'oro compatibile | |
| Affidabilità e qualità | Temperatura di funzionamento | -55 a +125 | °C (Grado di sicurezza industriale e nazionale) |
| Temperatura di stoccaggio e RH | 20-25°C, 40%-60% RH | Ambiente delle stanze pulite | |
| Durata di conservazione garantita | 1 | Anno (in condizioni di conservazione ottimali) |
Ingegneria delle pile di metallizzazione a pellicola sottile simmetrica
Per garantire l'affidabilità a lungo termine in condizioni di ciclismo termico di sicurezza nazionale e di alta umidità, l'HACC102S30V500 utilizza un sistema simmetrico,stack di film sottile spruzzato sotto vuoto sia in alto che in basso:
| Strato metallico | Materiale | Spessore dello strato standard | Funzione metallurgica e valore ingegneristico |
| Strato di adesione | Nitruro di tantallo (TaN) | Base spruzzata | Fornisce un legame chimico altamente stabile, che blocca l'ossigeno, al substrato ceramico; impedisce lo sbucciamento sotto stress termico. |
| Strato di barriera | Titanio-tungsteno (TiW) | Barriera a spruzzo | Agisce come una barriera di diffusione ad alta densità che impedisce agli atomi di nichel e oro di migrare nel dielettrico ceramico. |
| Strato di barriera | Nilo (Ni) | Sacrificio schizzato | Funziona come barriera resistente alla lixiviazione della saldatura; impedisce la lixiviazione o la depurazione dell'oro durante il riflusso della saldatura ad alta temperatura. |
| Fino alla fusione | Oro (Au) | ≥ 2,5 μm | Fornisce una superficie altamente conduttiva e priva di ossidi ottimizzata sia per il legame termo-sonico del filo d'oro che per il fissaggio epoxi riempito di argento. |
Matrice tecnica comparativa (HACC102S30V500 rispetto ad altri modelli SLC)
Questa matrice confronta l'assemblaggio e le prestazioni elettriche di diversi disegni di condensatori in ceramica a uno strato:
| Parametro di ingegneria | Con bordure a doppio lato (HACC102S30V500) | SLC a bordo unilaterale | SLC senza confini standard |
| Simmetria (orientamento) | Simmetrica, in alto e in basso identica, senza bisogno di capovolgere. | Asimetrico, prima di montare, deve verificare il lato superiore/inferiore. | Asimetrico, prima di montare, deve verificare il lato superiore/inferiore. |
| Lato superiore Epoxide sateto | Il margine in ceramica spoglia impedisce l'epossidizzazione della superficie. | Il margine in ceramica nuda impedisce l'epoxide di abbreviare la superficie superiore. | L'oro copre il 100% della superficie, portando ad un alto rischio di cortocircuito. |
| Sotto lato Sicurezza epoxi | Il bordo in ceramica esposto blocca la salita dell'epossidica alla base. | Moderato, l'oro di fondo copre il 100% della base, l'epossidio sale facilmente. | La saldatura e l'epossidica si arrampicano facilmente sulle pareti laterali. |
| Velocità di montaggio automatizzata | A velocità massima, senza controllo dell'orientamento visivo. | L'automazione richiede l'ispezione delle telecamere per rilevare l'alto/basso. | Medio, richiede un controllo visivo per orientarsi. prima del collocamento. |
| Resistenza alla lixiviazione della saldatura | Eccellente (Ni-Au Finish). | Da moderato a buono (a seconda della barriera). | Da moderato a buono (a seconda della barriera). |
Guida all'ingegneria dei parametri S e all'assemblaggio sotto-millimetrico
Per massimizzare l'efficienza dell'accoppiamento ad alta frequenza e del bypass evitando danni meccanici, gli ingegneri di montaggio devono rispettare le seguenti linee guida:
Epotek H20E Epoxide di argento conduttivo SOP
Specifica dell'adesivo:Utilizzare epoxi d'argento conduttivo ad alta affidabilità e a basso rilascio di gas (ad esempio, Epotek H20E).
Linee guida per la somministrazione:Applicare un microscopico punto di epossidio. Grazie al bordo ceramico inferiore dell'HACC102S30V500, l'epossidio è fisicamente contenuto all'interno del pad di attacco, impedendo cortocircuiti.
Profil di cura termica:Curare a 120 °C per 30 minuti (o, in alternativa, a 150 °C per 15 minuti) con un lento raffreddamento per eliminare lo shock termico sul substrato ceramico.
Restrizioni per il legame del filo e del nastro d'oro
Metodo di legame:Compatibile con il legame termossonico del filo d'oro (colla-cucitura o cuneo-cuneo) e il legame del nastro d'oro.
Disponibilità per il deposito sicuro:Il cuneo di attacco o la punta capillare devono atterrare sul pad d'oro superiore a una distanza di almeno 25 μm dal bordo del bordo dell'elettrodo.rischio di sbucciatura dell'oro o di micro crepe nel dielettrico.
Forza di legame:Controllare la pressione capillare per evitare la micro-fratturazione del sottile wafer in ceramica da 0,15 mm.
