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| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC221S50V500 |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | T/T, L/C, D/A, D/P |
El HACC221S50V500 es un condensador MOS de una sola capa fabricado sobre un sustrato de silicio de alta conductividad térmica con un dieléctrico de SiO2 crecido térmicamente. Está diseñado para conducir el calor lejos del chip activo en lugar de atraparlo, lo que mantiene el condensador más frío y estable durante la operación continua de potencia de RF. Es un condensador de RF soldable con una clasificación de220 pF ±10% a 50 V CCen unMetalizaciónEspecificaciones clave (típico, 25 °C)
| 220 pF ±10% (±5% disponible) | Voltaje CC nominal |
| 50 V | Conductividad térmica del sustrato |
| >140 W/m·K | Típicamente 2-30 W/m·K |
| <15 K/W | Más alta, depende del portador |
| SiO2 térmico, 300 nm | Sustrato |
| Silicio de alta conductividad térmica | ESL intrínseca |
| <0,05 nH | Frecuencia de auto-resonancia |
| >6 GHz (con cable de conexión de 0,5 mm) | Factor Q a 1 MHz |
| >2000 | TCC |
| +35 ppm/°C | Temperatura de operación |
| -55 °C a +125 °C | Dimensiones del chip |
| 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | Metalización |
| TiW-Au superior (mínimo 2,5 µm), TiW-Pt-Au posterior (mínimo 1,0 µm) | Nivel de sensibilidad a la humedad |
| MSL 1 | RoHS |
| Conforme (UE 2015/863) | Comparación de ruta térmica |
| Este condensador MOS | Condensador de portador cerámico | Conductividad térmica del sustrato |
| >140 W/m·K | Típicamente 2-30 W/m·K | Resistencia térmica unión-portador |
| <15 K/W | Más alta, depende del portador | Ruta de calor |
| Sustrato de silicio a metal posterior | Limitado por el aislante | Capacitancia vs. polarización CC |
| Estable hasta el voltaje nominal | Puede disminuir (Clase II) | Aplicaciones típicas |
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