HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC221S50V500 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | T/T, L/C, D/A, D/P |
Le HACC221S50V500 est un condensateur MOS monocouche fabriqué sur un substrat de silicium à haute conductivité thermique avec un diélectrique SiO2 thermiquement formé. Il est conçu pour évacuer la chaleur de la puce active au lieu de la piéger, ce qui maintient le condensateur plus froid et plus stable pendant le fonctionnement continu sous puissance RF. C'est un condensateur RF soudable, évalué à220 pF ±10% sous 50 V DCdans une puce deMétallisationSpécifications clés (typique, 25 °C)
| 220 pF ±10% (±5% disponible) | Tension DC nominale |
| 50 V | Conductivité thermique du substrat |
| >140 W/m·K | Typiquement 2-30 W/m·K |
| <15 K/W | Plus élevée, dépend du support |
| SiO2 thermique, 300 nm | Substrat |
| Silicium à haute conductivité thermique | ESL intrinsèque |
| <0,05 nH | Fréquence d'auto-résonance |
| >6 GHz (avec fil de connexion de 0,5 mm) | Facteur Q @ 1 MHz |
| >2000 | TCC |
| +35 ppm/°C | Température de fonctionnement |
| -55 °C à +125 °C | Dimensions de la puce |
| 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | Métallisation |
| Dessus TiW-Au (2,5 µm min), dessous TiW-Pt-Au (1,0 µm min) | Niveau de sensibilité à l'humidité |
| MSL 1 | RoHS |
| Conforme (UE 2015/863) | Comparaison des chemins thermiques |
| Ce condensateur MOS | Condensateur sur support céramique | Conductivité thermique du substrat |
| >140 W/m·K | Typiquement 2-30 W/m·K | Résistance thermique jonction-porteur |
| <15 K/W | Plus élevée, dépend du support | Chemin de chaleur |
| Substrat de silicium vers métal arrière | Limité par l'isolant | Capacité en fonction de la tension DC |
| Stable jusqu'à la tension nominale | Peut chuter (Classe II) | Applications typiques |
