HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Markenname: | Hoan |
| Modellnummer: | HACC221S50V500 |
| Mindestbestellmenge: | 10 Stück |
| Zahlungsbedingungen: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Der HACC221S50V500 ist ein einlagiger MOS-Kondensator, hergestellt auf einem hochwärmeleitfähigen Siliziumsubstrat mit einem thermisch angebauten SiO2-Dielectric.Es ist so konzipiert, dass die Wärme von der aktiven Matrize entfernt wird, anstatt sie einzufangen, wodurch der Kondensator bei kontinuierlichem HF-Strombetrieb kühler und stabiler bleibt.220 pF ± 10% bei 50 V Gleichstromin einem00,50 × 0,50 × 0,15 mmIch habe einen Chip.
| Nennkapazität | 220 pF ±10% (±5% verfügbar) |
| Nennspannung Gleichstrom | 50 V |
| Wärmeleitfähigkeit des Substrats | > 140 W/m·K |
| Wärmewiderstand (Verbindung zum Träger) | < 15 K/W |
| Dielektrische | Wärme SiO2, 300 nm |
| Substrat | Silizium mit hoher Wärmeleitfähigkeit |
| Intrinsische ESL | < 0,05 nH |
| Selbstresonanzfrequenz | > 6 GHz (mit 0,5 mm Bindungsdraht) |
| Q-Faktor @ 1 MHz | > 2000 |
| TCC | +35 ppm/°C |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis +125 °C |
| Abmessungen des Chips | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm |
| Metallisierung | Oberste TiW-Au (2,5 μm min), hintere TiW-Pt-Au (1,0 μm min) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit | MSL 1 |
| RoHS | Einheitlich (EU 2015/863) |
| Parameter | Dieser MOS Kondensator | mit einer Leistung von mehr als 1000 W |
| Wärmeleitfähigkeit des Substrats | > 140 W/m·K | Typischerweise 2-30 W/m·K |
| Wärmewiderstand der Verbindung zum Träger | < 15 K/W | Höher, je nach Träger |
| Wärmeweg | Siliziumsubstrat für die Rückseite des Metalls | Durch Isolator begrenzt |
| Kapazität gegenüber Gleichstromverzerrung | Stabil bis zur Nennspannung | Fähigkeit zum Ablassen (Klasse II) |
