HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАСС221С50В500 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Т/Т,Л/К,Д/А,Д/П |
HACC221S50V500 — это однослойный МОП-конденсатор, изготовленный на кремниевой подложке с высокой теплопроводностью с термически выращенным диэлектриком из SiO2. Он разработан для отвода тепла от активного кристалла вместо его удержания, что обеспечивает более низкую температуру и стабильность конденсатора при непрерывной работе с ВЧ-мощностью. Это ВЧ-конденсатор, пригодный для проволочного монтажа, рассчитанный на220 пФ ±10% при 50 В постоянного токав0,50 × 0,50 × 0,15 ммчипе.
| Номинальная емкость | 220 пФ ±10% (±5% доступны) |
| Номинальное напряжение постоянного тока | 50 В |
| Теплопроводность подложки | >140 Вт/м·К |
| Тепловое сопротивление (переход-носитель) | <15 К/Вт |
| Диэлектрик | Термический SiO2, 300 нм |
| Подложка | Кремний с высокой теплопроводностью |
| Собственная индуктивность паразитной емкости (ESL) | <0,05 нГн |
| Собственная резонансная частота | >6 ГГц (с монтажным проводом 0,5 мм) |
| Коэффициент добротности @ 1 МГц | >2000 |
| Температурный коэффициент емкости (TCC) | +35 ppm/°C |
| Рабочая температура | -55 °C до +125 °C |
| Размеры кристалла | 0,50 × 0,50 × 0,15 мм |
| Металлизация | Верхняя TiW-Au (минимум 2,5 µм), нижняя TiW-Pt-Au (минимум 1,0 µм) |
| Уровень влагочувствительности | MSL 1 |
| RoHS | Соответствует (EU 2015/863) |
| Параметр | Этот МОП-конденсатор | Керамический конденсатор на носителе |
| Теплопроводность подложки | >140 Вт/м·К | Обычно 2-30 Вт/м·К |
| Тепловое сопротивление переход-носитель | <15 К/Вт | Выше, зависит от носителя |
| Тепловой путь | Кремниевая подложка к нижнему металлу | Ограничено изолятором |
| Емкость в зависимости от смещения постоянного тока | Стабильна до номинального напряжения | Может снижаться (Класс II) |
