HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC221S50V500 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
O HACC221S50V500 é um capacitor MOS de camada única fabricado em um substrato de silício de alta condutividade térmica com um dielétrico de SiO2 crescido termicamente. Ele é projetado para conduzir calor para longe do chip ativo em vez de aprisioná-lo, o que mantém o capacitor mais frio e estável durante a operação contínua de potência de RF. É um capacitor de RF soldável classificado220 pF ±10% a 50 V DCem um0.50 × 0.50 × 0.15 mmchip.
| Capacitância nominal | 220 pF ±10% (±5% disponível) |
| Tensão DC nominal | 50 V |
| Condutividade térmica do substrato | >140 W/m·K |
| Resistência térmica (junção para portador) | <15 K/W |
| Dielétrico | SiO2 térmico, 300 nm |
| Substrato | Silício de alta condutividade térmica |
| ESL intrínseco | <0.05 nH |
| Frequência de auto-ressonância | >6 GHz (com fio de solda de 0.5 mm) |
| Fator Q @ 1 MHz | >2000 |
| TCC | +35 ppm/°C |
| Temperatura de operação | -55 °C a +125 °C |
| Dimensões do chip | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm |
| Metalização | TiW-Au superior (mínimo de 2.5 µm), TiW-Pt-Au traseiro (mínimo de 1.0 µm) |
| Nível de sensibilidade à umidade | MSL 1 |
| RoHS | Conforme (UE 2015/863) |
| Parâmetro | Este capacitor MOS | Capacitor de portador cerâmico |
| Condutividade térmica do substrato | >140 W/m·K | Tipicamente 2-30 W/m·K |
| Resistência térmica junção-portador | <15 K/W | Mais alta, depende do portador |
| Caminho de calor | Substrato de silício para metal traseiro | Limitado pelo isolante |
| Capacitância vs. polarização DC | Estável até a tensão nominal | Pode cair (Classe II) |
