Condensador MOS de Doble Polaridad Simétrica 470pF 100V Inmunidad Transitoria Alta dV/dt Chip de Capa Única Para Conmutación RF

HACC471S100V701 condensador MOS simétrico de doble polaridad 470pF 100V con una sola capa de cable y un chip RF

Definición del producto:El HACC471S100V701 es un condensador MOS (metal-oxide-semiconductor) de una sola capa construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante de alta resistencia con un dióxido de silicio (SiO) cultivado térmicamente₂Se utiliza para generar una tensión de trabajo de 100 V DC en un chip de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm.La misma familia de dispositivos también se describe como un condensador de capa única (SLC) chip, un condensador de chip de RF, un condensador de conexión por cable o un condensador de chip MOS.

Sus dos características definitorias sonoperación simétrica de doble polaridadyinmunidad transitoria de alto dV/dt. Together they make the part a good fit for bipolar and AC-coupled RF circuits in which the capacitor must behave identically for positive and negative signal excursions and must tolerate fast voltage ramps.

Características clave

Operación simétrica de doble polaridad

En un condensador MOS convencional, la capacitancia medida depende de la polaridad de sesgo aplicada:una polaridad conduce al silicio hacia la acumulación (C ≈ Cox) mientras que la polaridad opuesta lo conduce hacia el agotamientoEl HACC471S100V701 utiliza una plataforma simétrica de semiconductores de óxido metálico con unelectrodo de silicio de zona flotante fuertemente dopado por lo que la capacidad del semiconductor permanece muy por encima de la capacidad del óxido bajo ambas direcciones de sesgoEl resultado es una característica casi idéntica de C-V para el sesgo positivo y negativo.± 1% a través de ±100 VEsto hace que el dispositivo sea adecuado para trayectorias de señal acopladas a CA y bipolares donde el condensador debe comportarse de manera idéntica independientemente de la polaridad de la señal, reduciendo la asimetría y la distorsión de la forma de onda.

Imunidad transitoria de alto dV/dt

Un condensador sometido a una rampa de alta tensión extrae una corriente de desplazamiento i = C · dV/dt. La construcción de una sola capa elimina la pila interna de electrodos de un condensador cerámico multicapa,manteniendo la inductancia en serie equivalente (ESL) por debajo de0.05 nHy limitando el exceso de voltaje parasitario generado durante transientes rápidos, combinado con la metalización de oro ≥ 2,5 μm, que proporciona una trayectoria de corriente robusta y de baja resistencia y una masa térmica,el HACC471S100V701 soporta eventos rápidos de dV/dt como picos de conmutación y envolturas de RF pulsadasPara un dispositivo de 470 pF, una rampa de 1000 V/μs produce aproximadamente 0,47 A de corriente de desplazamiento, que la pieza maneja sin degradación capacitiva o daño al metal.El valor de 100 V con una tensión dieléctrica resistente del 250% proporciona espacio adicional.

Baja pérdida, estable en frecuencia y temperatura

El SiO₂el dieléctrico muestra un coeficiente de temperatura de la capacitancia (TCC) de aproximadamente+35 ppm/°C, casi lineal de -55°C a +125°C, y un bajo coeficiente de sesgo de CC (< 10 ppm/V).2000 a 1 MHzy se mantiene por encima200 a una frecuencia de 1 GHz, mientras que la absorción dieléctrica suele estar por debajo del 0,05% - importante para las etapas de muestreo y retención y el integrador de precisión.

Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique)

Confiabilidad y calificación (valores típicos)

Aplicaciones típicas

• Pistas de señales de RF bipolares y acopladas a CA que requieren un comportamiento idéntico en ambas polaridades
• Bloqueo de corriente continua y emparejamiento de impedancia en amplificadores push-pull y terminales frontales diferenciales
• Los nodos de conmutación de alta velocidad y las fases de RF pulsada expuestos a transientes rápidos dV/dt
• Desacoplamiento de la derivación de RF y de la alimentación cuando se requiere una baja ESL y una capacidad estable
• Circuitos de tanques VCO y redes de filtros de 100 MHz a 6 GHz