Symmetrischer Dual-Polaritäts-MOS-Kondensator 470pF 100V Hohe dV/dt Transientenimmunität Einzelschicht-Chip für HF-Schaltung

HACC471S100V701 Symmetrischer Dual-Polarity MOS-Kondensator 470pF 100V Einzelschicht Drahtbondfähig RF-Chip

Produktdefinition: Der HACC471S100V701 ist ein einlagiger Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Kondensator, der auf einem hochohmigen Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einem thermisch gewachsenen Siliziumdioxid (SiO₂) Dielektrikum aufgebaut ist. Er liefert 470 pF (±10%) bei einer Gleichspannung von 100 V in einem drahtbondfähigen Chip der Größe 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Dieselbe Gerätefamilie wird auch als einlagiger Kondensator (SLC)-Chip, RF-Kondensator, drahtbondfähiger Kondensator oder MOS-Kondensator bezeichnet.

Seine beiden definierenden Merkmale sind symmetrischer Dual-Polarity-Betrieb und hohe dV/dt-Transientenimmunität. Zusammen machen sie das Bauteil zu einer guten Wahl für bipolare und AC-gekoppelte HF-Schaltungen, bei denen sich der Kondensator für positive und negative Signalpegel identisch verhalten und schnellen Spannungsrampen standhalten muss.

Hauptmerkmale

Symmetrischer Dual-Polarity-Betrieb

Bei einem herkömmlichen MOS-Kondensator hängt die gemessene Kapazität von der Polarität der angelegten Spannung ab: Eine Polarität treibt das Silizium in die Anreicherung (C ≈ Cox), während die entgegengesetzte Polarität es in die Verarmung treibt und die effektive Kapazität verringert. Der HACC471S100V701 verwendet eine symmetrische Metall-Oxid-Halbleiterplattform mit einer degenerierten, stark dotierten Float-Zone-Siliziumelektrode, sodass die Halbleiterkapazität unter beiden Vorspannungsrichtungen weit über der Oxidkapazität bleibt. Das Ergebnis ist eine nahezu identische C-V-Charakteristik für positive und negative Vorspannung — die Kapazität bleibt innerhalb von ±1% über ±100 V. Dies macht das Gerät für AC-gekoppelte und bipolare Signalpfade geeignet, bei denen sich der Kondensator unabhängig von der Signalpolarität identisch verhalten muss, wodurch Wellenformasymmetrie und Verzerrungen reduziert werden.

Hohe dV/dt-Transientenimmunität

Ein Kondensator, der einem schnellen Spannungsanstieg ausgesetzt ist, zieht einen Verschiebungsstrom i = C · dV/dt. Die einlagige Konstruktion entfernt den internen Elektrodenstapel eines mehrlagigen Keramikkondensators, hält die äquivalente Serieninduktivität (ESL) unter 0,05 nH und begrenzt die parasitäre Spannungsüberschwingung, die während schneller Transienten auftritt. In Kombination mit der ≥2,5 µm Goldmetallisierung, die einen robusten, niederohmigen Strompfad und thermische Masse bietet, hält der HACC471S100V701 schnellen dV/dt-Ereignissen wie Schaltspitzen und gepulsten HF-Hüllkurven stand. Für ein 470 pF-Gerät erzeugt ein Anstieg von 1000 V/µs einen Verschiebungsstrom von etwa 0,47 A, den das Bauteil ohne kapazitive Degradation oder Metallschäden bewältigt. Die Nennspannung von 100 V mit einer dielektrischen Durchschlagsfestigkeit von 250 % bietet zusätzlichen Spielraum.

Geringe Verluste, stabil über Frequenz und Temperatur

Das SiO₂ Dielektrikum zeigt einen Temperaturkoeffizienten der Kapazität (TCC) von etwa +35 ppm/°C, nahezu linear von -55°C bis +125°C, und einen niedrigen Gleichspannungs-Bias-Koeffizienten (<10 ppmV). Q exceeds 2000 bei 1 MHz und bleibt über 200 bei 1 GHz, während die dielektrische Absorption typischerweise unter 0,05 % liegt — wichtig für Sample-and-Hold- und Präzisionsintegratorschaltungen.