Condensatore MOS a doppia polarità simmetrica 470pF 100V Immunità transitoria ad alto dV/dt Monostrato chip per commutazione RF

HACC471S100V701 Condensatore MOS simmetrico a doppia polarità 470pF 100V Chip RF incollabile con filo singolo

Definizione del prodotto:HACC471S100V701 è un condensatore a semiconduttore a ossido di metallo (MOS) a strato singolo costruito su un substrato di silicio a zona flottante ad alta resistività con un biossido di silicio cresciuto termicamente (SiO₂) dielettrico. Fornisce 470 pF (±10%) a una tensione di lavoro di 100 V CC in un chip saldabile a filo da 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. La stessa famiglia di dispositivi è descritta anche come chip di condensatore a strato singolo (SLC), condensatore di chip RF, condensatore collegabile a filo o condensatore di chip MOS.

Le sue due caratteristiche distintive sonofunzionamento simmetrico a doppia polaritàEelevata immunità ai transitori dV/dt. Insieme rendono il componente particolarmente adatto ai circuiti RF bipolari e accoppiati in CA in cui il condensatore deve comportarsi in modo identico per le escursioni del segnale positivo e negativo e deve tollerare rampe di tensione rapide.

Caratteristiche principali

Funzionamento simmetrico a doppia polarità

In un condensatore MOS convenzionale la capacità misurata dipende dalla polarità di polarizzazione applicata: una polarità porta il silicio all'accumulo (C ≈ Cox) mentre la polarità opposta lo porta all'esaurimento, abbassando la capacità effettiva. HACC471S100V701 utilizza una piattaforma simmetrica di semiconduttore di ossido di metallo con un elettrodo di silicio a zona flottante degenerato e fortemente drogato, in modo che la capacità del semiconduttore rimanga molto al di sopra della capacità dell'ossido in entrambe le direzioni di polarizzazione. Il risultato è una caratteristica CV quasi identica per bias positivo e negativo: la capacità è contenuta±1% su ±100 V. Ciò rende il dispositivo adatto per percorsi di segnale accoppiati in CA e bipolari in cui il condensatore deve comportarsi in modo identico indipendentemente dalla polarità del segnale, riducendo l'asimmetria e la distorsione della forma d'onda.

Elevata immunità ai transitori dV/dt

Un condensatore sottoposto ad una veloce rampa di tensione assorbe una corrente di spostamento i = C · dV/dt. La struttura a strato singolo rimuove la pila di elettrodi interna di un condensatore ceramico multistrato, mantenendo l'induttanza in serie equivalente (ESL) al di sotto0,05 nHe limitare il superamento parassita della tensione generato durante i transitori veloci. In combinazione con la metallizzazione in oro ≥2,5 µm, che fornisce un percorso di corrente robusto e a bassa resistenza e una massa termica, HACC471S100V701 resiste a eventi dV/dt rapidi come picchi di commutazione e inviluppi RF pulsati. Per un dispositivo da 470 pF, una rampa da 1000 V/μs produce circa 0,47 A di corrente di spostamento, che il componente gestisce senza degrado capacitivo o danni ai metalli. La tensione nominale di 100 V con una tensione di resistenza dielettrica del 250% fornisce ulteriore margine.

Bassa perdita, stabilità alla sovrafrequenza e alla temperatura

Il SiO₂il dielettrico mostra un coefficiente di temperatura della capacità (TCC) di circa+35 ppm/°C, quasi lineare da -55°C a +125°C e un basso coefficiente di polarizzazione CC (<10 ppm/V). Q supera2000 a 1 MHze resta sopra200 a 1GHz, mentre l'assorbimento dielettrico è generalmente inferiore allo 0,05%, importante per gli stadi sample-and-hold e gli integratori di precisione.

Specifiche elettriche (T = 25°C se non diversamente specificato)

Affidabilità e Qualificazione (valori tipici)

Applicazioni tipiche

• Percorsi del segnale RF bipolari e accoppiati in CA che richiedono un comportamento identico in entrambe le polarità
• Blocco DC e adattamento di impedenza in amplificatori push-pull e front-end differenziali
• Nodi di commutazione ad alta velocità e stadi RF pulsati esposti a transitori dV/dt veloci
• Bypass RF e disaccoppiamento dell'alimentazione dove sono richiesti bassa ESL e capacità stabile
• Circuiti di serbatoi VCO e reti di filtri da 100 MHz a 6 GHz