Condensateur MOS à double polarité symétrique 470pF 100V Immunité transitoire élevée dV/dt Puce monocouche pour commutation RF

HACC471S100V701 Condensateur MOS symétrique à double polarité 470pF 100V à une seule couche

Définition du produit:Le HACC471S100V701 est un condensateur à semi-conducteur monocouche (MOS) à oxyde métallique construit sur un substrat de silicium à zone flottante à haute résistance avec un dioxyde de silicium (SiO) cultivé thermiquement₂Il fournit 470 pF (± 10%) à une tension de travail de 100 V CC dans une puce de liaison par fil de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm.La même famille d'appareils est également décrite comme une puce à condensateur à couche unique (SLC), un condensateur à puce RF, un condensateur à câble ou un condensateur à puce MOS.

Ses deux caractéristiques sont:fonctionnement à double polarité symétriqueetimmunité transitoire élevée dV/dt. Together they make the part a good fit for bipolar and AC-coupled RF circuits in which the capacitor must behave identically for positive and negative signal excursions and must tolerate fast voltage ramps.

Principales caractéristiques

Opération symétrique à double polarité

Dans un condensateur MOS conventionnel, la capacité mesurée dépend de la polarité de biais appliquée:une polarité pousse le silicium vers l'accumulation (C ≈ Cox) tandis que la polarité opposée le pousse vers l'épuisementLe HACC471S100V701 utilise une plateforme symétrique de semi-conducteurs d'oxyde de métal avec un dégénéré,une électrode de silicium fortement dopée de la zone flottante de sorte que la capacité du semi-conducteur reste bien supérieure à la capacité de l'oxyde dans les deux directions de biaisLe résultat est une caractéristique C-V presque identique pour les biais positifs et négatifs± 1% à travers ± 100 VCela rend l'appareil adapté aux voies de signal AC-couplées et bipolaires où le condensateur doit se comporter de manière identique indépendamment de la polarité du signal, réduisant l'asymétrie et la distorsion de la forme d'onde.

Immunité transitoire élevée dV/dt

Un condensateur soumis à une rampe de tension rapide tire un courant de déplacement i = C · dV/dt. La construction en une seule couche supprime la pile interne d'électrodes d'un condensateur céramique multicouche,maintenir l'inductance équivalente en série (ESL) inférieure00,05 nHet limitant le dépassement de tension parasitaire généré lors de transitoires rapides. Combiné à la métallisation de l'or ≥ 2,5 μm, qui fournit un parcours de courant et une masse thermique robustes et à faible résistance,le HACC471S100V701 résiste à des phénomènes rapides dV/dt tels que des pics de commutation et des enveloppes RF pulséesPour un dispositif de 470 pF, une rampe de 1000 V/μs produit environ 0,47 A de courant de déplacement, que la pièce gère sans dégradation capacitive ni dommage au métal.La puissance de 100 V avec une tension de résistance diélectrique de 250% offre un espace supplémentaire.

Faible perte, stable sur la fréquence et la température

Le SiO₂le diélectrique présente un coefficient de température de capacité (TCC) d'environ+35 ppm/°C, presque linéaire de -55°C à +125°C, et un faible coefficient de biais CC (< 10 ppm/V).2000 à 1 MHzet reste au-dessus200 à 1 GHz, tandis que l'absorption diélectrique est généralement inférieure à 0,05% ¥ important pour les étapes d'échantillonnage et de maintien et d'intégrateur de précision.

Spécifications électriques (T = 25°C, sauf indication contraire)

Fiabilité et qualification (valeurs typiques)

Applications typiques

• Pistes de signaux RF bipolaires et couplées à AC nécessitant un comportement identique dans les deux polarités
• Blocage en courant continu et correspondance d'impédance dans les amplificateurs push-pull et les terminaisons avant différentielles
• Les nœuds de commutation à grande vitesse et les stades RF pulsés exposés à des transitoires rapides dV/dt
• Le décalage RF et le découplage d'alimentation lorsque l'ESL est faible et que la capacité stable est requise
• Circuits de réservoirs VCO et réseaux de filtres de 100 MHz à 6 GHz