Symmetrische MOS-condensator met dubbele polariteit 470pF 100V Hoge dV/dt Transiente immuniteit Single-layer chip voor RF-switching

HACC471S100V701 Symmetrische MOS-capacitor met dubbele polariteit 470pF 100V enkellagig draadgebonden RF-chip

Definitie van product:De HACC471S100V701 is een eenlaagse metaal-oxide-halfgeleider (MOS) condensator gebouwd op een hoogweerstandsfloat-zone siliciumsubstraat met een thermisch gekweekte siliciumdioxide (SiO)₂Het levert 470 pF (± 10%) bij een gelijkstroomwerkspanning van 100 V in een 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm draadbindende chip.Dezelfde toestelfamilie wordt ook beschreven als een single-layer condensator (SLC) chip, een RF-chipcapacitor, een draadbindende condensator of een MOS-chipcapacitor.

De twee kenmerken die het kenmerken zijn:symmetrische dubbelpolariteiteneen hoge dV/dt transiente immuniteit. Together they make the part a good fit for bipolar and AC-coupled RF circuits in which the capacitor must behave identically for positive and negative signal excursions and must tolerate fast voltage ramps.

Belangrijkste kenmerken

Symmetrische dubbelpolariteitsoperatie

In een conventionele MOS-capacitor is de gemeten capaciteit afhankelijk van de toegepaste biaspolariteit:de ene polariteit drijft het silicium naar accumulatie (C ≈ Cox) terwijl de tegenovergestelde polariteit het naar uitputting drijftDe HACC471S100V701 maakt gebruik van een symmetrisch metaal-oxide-halfgeleiderplatform met een gedegenereerde,zwaar gedopeerde float-zone silicium elektrode zodat de halfgeleidercapaciteit blijft ver boven de oxidecapaciteit in beide richtingenHet resultaat is een vrijwel identieke C-V-kenmerken voor positieve en negatieve bias± 1% over ±100 VDit maakt het apparaat geschikt voor AC-gekoppelde en bipolaire signaalpaden waarbij de condensator zich identiek moet gedragen, ongeacht de signaalpolariteit, waardoor asymmetrie en vervorming van de golfvorm worden verminderd.

Hoge dV/dt Transiente immuniteit

Een condensator die aan een snelle spanningsramp wordt onderworpen, trekt een verplaatsingsstroom i = C · dV/dt. De enkellagige constructie verwijdert de interne elektrodenstapel van een meerlagige keramische condensator,het houden van de gelijkwaardige serie-induktansie (ESL) onder00,05 nHin combinatie met de ≥ 2,5 μm goudmetallisatie, die een robuust stroompad en thermische massa met een lage weerstand biedt,de HACC471S100V701 is bestand tegen snelle dV/dt-gebeurtenissen zoals schakelpieken en pulsed-RF-enveloppenVoor een 470 pF-apparaat produceert een 1000 V/μs-rampa ongeveer 0,47 A verplaatsingsstroom, die het onderdeel zonder capacitieve afbraak of metaalbeschadiging verwerkt.De 100 V-klasse met een 250% dielectrische weerstandsspanning biedt extra ruimte.

Laag verlies, stabiel over frequentie en temperatuur

De SiO₂Dielektrische verwarming met een temperatuurcapaciteitscoëfficiënt (TCC) van ongeveer+35 ppm/°C, bijna lineair van -55 °C tot +125 °C en een lage gelijkstroomvervorming (< 10 ppm/V).2000 bij 1 MHzen blijft boven200 bij 1 GHz, terwijl de dielectrische absorptie doorgaans lager is dan 0,05% ∙ belangrijk voor de stappen van de sample-and-hold en de precisie-integrator.

Elektrische specificaties (T = 25°C, tenzij vermeld)

Betrouwbaarheid en bekwaamheid (typische waarden)

Typische toepassingen

• Bipolaire en AC-gekoppelde RF-signaalpaden die in beide polariteiten hetzelfde gedrag vereisen
• Gelijkstroomblokkering en impedantieafsluiting in push-pullversterkers en differentiële front-ends
• Hoge snelheidsschakelknopen en pulserende RF-stadia die worden blootgesteld aan snelle dV/dt transiënten
• RF-bypass en ontkoppeling van de voeding wanneer een lage ESL en een stabiele capaciteit vereist zijn
• VCO-tankcircuits en filternetwerken van 100 MHz tot 6 GHz