Capacitor MOS de Polaridade Dupla Simétrica 470pF 100V Imunidade Transiente Alta dV/dt Chip de Camada Única Para Comutação RF

HACC471S100V701 Capacitor MOS Simétrico de Dupla Polaridade 470pF 100V Camada Única com Fio Soldável para RF

Definição do produto: O HACC471S100V701 é um capacitor metal-óxido-semicondutor (MOS) de camada única construído em um substrato de silício float-zone de alta resistividade com um dielétrico de dióxido de silício (SiO₂) crescido termicamente. Ele fornece 470 pF (±10%) a uma tensão de trabalho de 100 V CC em um chip de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm com fio soldável. A mesma família de dispositivos também é descrita como um chip capacitor de camada única (SLC), um capacitor de RF, um capacitor com fio soldável ou um capacitor MOS.

Suas duas características definidoras são a operação simétrica de dupla polaridade e a alta imunidade a transientes dV/dt. Juntas, elas tornam o componente adequado para circuitos de RF bipolares e acoplados AC nos quais o capacitor deve se comportar de maneira idêntica para excursões de sinal positivas e negativas e deve tolerar rampas de tensão rápidas.

Principais Características

Operação Simétrica de Dupla Polaridade

Em um capacitor MOS convencional, a capacitância medida depende da polaridade do viés aplicado: uma polaridade leva o silício à acumulação (C ≈ Cox) enquanto a polaridade oposta o leva à depleção, diminuindo a capacitância efetiva. O HACC471S100V701 usa uma plataforma simétrica de metal-óxido-semicondutor com um eletrodo de silício float-zone degenerado e fortemente dopado, de modo que a capacitância do semicondutor permanece muito acima da capacitância do óxido em ambas as direções de viés. O resultado é uma característica C-V quase idêntica para viés positivo e negativo — a capacitância se mantém dentro de ±1% em ±100 V. Isso torna o dispositivo adequado para caminhos de sinal acoplados AC e bipolares onde o capacitor deve se comportar de maneira idêntica, independentemente da polaridade do sinal, reduzindo a assimetria e a distorção da forma de onda.

Alta Imunidade a Transientes dV/dt

Um capacitor submetido a uma rampa de tensão rápida gera uma corrente de deslocamento i = C · dV/dt. A construção de camada única remove a pilha de eletrodos interna de um capacitor cerâmico multicamadas, mantendo a indutância série equivalente (ESL) abaixo de 0,05 nH e limitando o sobre-impulso de tensão parasita gerado durante transientes rápidos. Combinado com a metalização de ouro de ≥2,5 µm, que fornece um caminho de corrente robusto e de baixa resistência e massa térmica, o HACC471S100V701 suporta eventos dV/dt rápidos, como picos de comutação e envelopes de RF pulsados. Para um dispositivo de 470 pF, uma rampa de 1000 V/µs produz aproximadamente 0,47 A de corrente de deslocamento, que o componente manuseia sem degradação capacitiva ou danos metálicos. A classificação de 100 V com uma tensão de suportabilidade dielétrica de 250% fornece margem adicional.

Baixa Perda, Estável em Frequência e Temperatura

O dielétrico SiO₂ apresenta um coeficiente de temperatura de capacitância (TCC) de aproximadamente +35 ppm/°C, quase linear de -55°C a +125°C, e um baixo coeficiente de viés CC (<10 ppmV). Q exceeds 2000 a 1 MHz e permanece acima de 200 a 1 GHz, enquanto a absorção dielétrica é tipicamente inferior a 0,05% — importante para estágios de sample-and-hold e integradores de precisão.