Capacitor MOS com Controle de Espalhamento de Fônons 220pF 50V Camada Única Chip para RF de Alta Potência

HACC221S50V300 Controle de Dispersão de Fônios MOS Condensador

Resumo do produto:O HACC221S50V300 é um condensador de metal-óxido-semicondutor (MOS) de uma única camada com uma capacitância nominal de 220pF ± 10% e uma tensão de trabalho de 50V DC.É construído sobre um substrato de silício de zona flutuante de alta condutividade com um dióxido de silício térmico de 300 nm (SiO)₂A sua característica definidora é o controlo da dispersão de fonões e as interfaces metálicas são projetadas para que o calor gerado pela perda de RF seja conduzido de forma eficiente em vez de se acumular em um ponto quenteIsto é adequado para estágios de RF de alta potência onde a estabilidade térmica limita o desempenho.

O que é o controlo de dispersão de fonões?

Em um sólido, o calor é transportado por fonões, que são vibrações de rede quantizadas.e interfaces ásperas ou quimicamente misturadas dispersa-o e diminui a condutividade térmicaO controle da dispersão de fonões significa projetar as interfaces dielétricas, substrato e metalização para manter o transporte de fonões eficiente:O silício de zona flutuante de cristal único tem uma longa trajetória média de fonões (a distância média que um fonão percorre antes de ser disperso), o dielétrico é um óxido térmico denso com densidade de defeito mínima, e a metalização de ouro espesso fornece um caminho térmico de baixa resistência para a superfície de montagem.

Notas de engenharia: Como é construído o caminho térmico

• Substrato:Silício de zona flutuante de cristal único com uma rede contínua e alta condutividade térmica, de modo que o calor se espalha para longe do dielétrico em um grande volume.
• Dieléctrico:SiO térmico denso₂cultivadas a altas temperaturas, com baixa densidade de defeito e de vácuo e, por conseguinte, com poucos centros de dispersão interna.
• Interfaces:As camadas de adesão de TiW finas e totalmente ligadas evitam a interface áspera e parcialmente ligada que dispersa os fonões e impede o fluxo de calor.
• Metalização:O eletrodo superior Au grosso e o lado traseiro Au de área total formam um caminho térmico largo e de baixa resistência do dielétrico até à superfície de montagem.
• Baixa RSE:reduz a quantidade de potência do sinal convertida em calor em primeiro lugar.

Principais especificações (T = 25°C, salvo indicação em contrário)

Aplicações típicas

• Combinação e desacoplagem da saída do amplificador RF de alta potência
• Módulos de potência de RF que exigem parâmetros estáveis sob carga
• Fontes de aquecimento de RF e de excitação de plasma de estado sólido
• Redes de filtros, combinadores e equipamentos de alta potência
• Fontes de alimentação de RF industriais