Phonon-Scattering Control MOS-Kondensator 220pF 50V Einzelschicht-Chip für Hochleistungsfrequenz

HACC221S50V300 Phonon-Streuungskontrolle MOS-Kondensator

Produktübersicht:Der HACC221S50V300 ist ein einlagiger Halbleiter-Metalloxid-Kondensator (MOS) mit einer Nennkapazität von 220pF ± 10% und einer Gleichspannung von 50 V.Es basiert auf einem hochleitfähigen Float-Zone-Silizium-Substrat mit einem 300nm thermischen Siliziumdioxid (SiO)₂Die Konzentration der Fonen auf die dielektrische Substrate und die dielektrische Substrate wird durch die Konzentration der dielektrischen Substrate und die Konzentration der dielektrischen Substrate auf dieund Metall-Schnittstellen sind so konstruiert, dass die durch HF-Verlust erzeugte Wärme effizient abgeführt wird, anstatt sich in einem heißen Punkt aufzubauenDies eignet sich für Hochleistungs-HF-Stufen, bei denen die thermische Stabilität die Leistung einschränkt.

Was ist Phonon-Streuungskontrolle?

In einem Festkörper wird die Wärme von Phononen getragen, die quantisierte Gittervibrationen sind.und raue oder chemisch vermischte Schnittstellen Phonon-Streuungskontrolle bedeutet, die dielektrischen, Substrat- und Metallisierungsschnittstellen zu konstruieren, um den Phonon-Transport effizient zu halten:Einzelkristall-Float-Zone-Silizium hat einen langen Phonon-Mittelweg (die durchschnittliche Entfernung, die ein Phonon zurücklegt, bevor es zerstreut wird), das Dielektrikum ist ein dichtes thermisches Oxid mit einer minimalen Defektdichte, und die dicke Goldmetallisierung sorgt für einen Wärmeweg mit geringem Widerstand zur Montageoberfläche.

Technische Hinweise: Wie der Wärmeweg gebaut wird

• Substrat:Einkristall-Float-Zone-Silizium mit einem kontinuierlichen Gitter und hoher Wärmeleitfähigkeit, so dass Wärme sich über ein großes Volumen vom Dielektrikum entfernt.
• Dielektrisch:Dichte thermische SiO₂bei hoher Temperatur, mit geringer Defektdichte und Leerdichte und somit nur wenigen internen Streuzentren angebaut.
• Schnittstellen:Dünne, voll gebundene TiW-Adhäsionsschichten vermeiden die raue, teilweise gebundene Schnittstelle, die Phononen zerstreut und den Wärmefluss behindert.
• Metallisierung:eine dicke Au-Oberstelektrode und eine Au-Hinterseite mit voller Fläche bilden einen breiten Wärmeweg mit geringem Widerstand vom Dielektrikum zur Montageoberfläche.
• Niedriges ESR:Verringert zunächst die Menge an Signalleistung, die in Wärme umgewandelt wird.

Hauptbeschreibungen (T = 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

• Hochleistungs-HF-Verstärker-Ausgangsmatching und -Entkopplung
• HF-Leistungsmodule, für die stabile Parameter unter Last erforderlich sind
• Festkörper-HF-Heizungs- und Plasmaerregungsquellen
• Filter-, Kombinations- und Übereinstimmungsnetze mit hoher Leistung
• Industrielle HF-Stromversorgungen